第3章CMOS集成电路的物理结构(9)

第3章CMOS集成电路的物理结构

§3.2 MOSFET 掺入硼B III族元素，增加空穴，形成p型材料； 提供空穴的杂质原子称为受主掺杂剂；14 19 3 掺杂浓度 N a= 10→ 10/ cm

p型材料中，每个受主提供一个空穴，空穴为多子，浓度为pp;电子为少子，浓度为np 并有 p p≈ N a ni2 np≈/ cm 3 Na

2011-9-10

第3章 CMOS集成电路的物理结构

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§3.2 MOSFET电导率σ 载流子密度为n和p的半导体区域电导率：σ= q(μ n n+μ p p)2 式中：μ n和μ p为电子和空穴迁移率，cm/(V s)

常温下本征硅：μ n= 1360cm 2/(V s)

μ p= 480cm 2/(V s)

6 本征硅电导率σ≈ 4.27× 10/(Ω cm) 5 本征硅电阻率ρ= 1/σ≈ 2.34× 10Ω cm

N型材料：σ≈ qμ n n P型材料：σ≈ qμ p p2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 18

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