第3章CMOS集成电路的物理结构(5)

第3章CMOS集成电路的物理结构

§3.1集成电路工艺层互连线上的寄生电阻和寄生电容，引起时间延迟

τ时间常数：= RlineCline2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 9

§3.1集成电路工艺层互连线电阻和电容互连线电阻和电容使传播延时增加，相应于性能的下降互连线电阻会消耗功率互连线电容会引起额外的噪声，影响电路的可靠性

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第3章 CMOS集成电路的物理结构

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