第3章CMOS集成电路的物理结构(6)

第3章CMOS集成电路的物理结构

§3.2 MOSFETNMOS电路符号与相应的工艺层

NMOS的简化工作图

栅信号G决定了在漏区与源区之间是否存在导电区2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 11

§3.2 MOSFET形成 MOSFET的各工艺层

MOSFET的宽长比定义为(W/L),它是 VLSI设计者考虑的最重要参数!2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 12

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