第3章CMOS集成电路的物理结构(8)

第3章CMOS集成电路的物理结构

§3.2 MOSFET Si:IV族元素 22 3 Si原子密度： N Si= 5× 10/ cm 本征载流子密度(室温：300K):

ni= 1.45×1010/ cm 3

注意： (1)本征半

导体中载流子数目极少,其导电性能很差； (2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。

2011-9-10

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§3.2 MOSFET掺杂：增加载流子，提高导电性，形成n型和p型半导体 掺入磷P、砷As V族元素杂质，增加电子浓度，形成n型材料； 提供自由电子的杂质原子称为施主掺杂剂； 掺杂浓度 N d= 1016~ 1019/ cm3 n型材料中，每个施主提供一个自由电子；电子为多子，浓度为nn;空穴为少子，浓度为pn10 3 有 nn≈ N d ( ni= 1.45×10/ cm ) ni2 pn≈/ cm 3 Nd

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