第3章CMOS集成电路的物理结构(15)

第3章CMOS集成电路的物理结构

§3.3 CMOS工艺层工艺层：具有不同电特性的区域。n阱工艺

p衬底 n阱 n+(nFET漏/源) p+(pFET漏/源) 栅氧化层 栅(多晶硅)

2011-9-10

第3章 CMOS集成电路的物理结构

29

§3.3 CMOS工艺层金属互连层

金属层之间以及金属层与晶体管之间用绝缘层实现电绝缘相邻导电层之间的电接触要求在它们之间的氧化层上形成接触孔和通孔2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 30

百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，免费范文网，提供经典小说教育文库第3章CMOS集成电路的物理结构(15)在线全文阅读。