第3章CMOS集成电路的物理结构(10)

第3章CMOS集成电路的物理结构

§3.2 MOSFET例3.2:一个硼掺杂密度为 1015 cm 3的p型硅掺杂样品，其多子电荷载体为空穴，密度为

p p≈ N a= 1015 cm -3则少子载体的电子密度为 ni2 (1.45× 1010 ) 2 np≈=≈ 2.1× 10 5 cm 3 Na 1015已知该样品的迁移率为μ n≈ 1350cm 2/(V s),μ p≈ 450cm 2/(V s) 19 15 -1其电导率为σ≈ qμ p p p= 1.6× 10× 450× 10= 0.072(Ω cm) 1 1= 13.9(Ω cm)电阻率为ρ==σ 0.072

2011-9-10

第3章 CMOS集成电路的物理结构

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§3.2 MOSFET迁移率与掺杂浓度的关系

μ=μ1+

μ 2 μ1 N 1+ N ref

α

室温下：电子

μ1= 92cm 2/ (V s ),μ 2= 1380cm 2/ (V s ),N ref= 1.3×1017/ cm 3,α= 0.91

空穴

μ1= 47.7cm 2/ (V s ),μ 2= 495cm 2/ (V s ),N ref= 6.3× 1016/ cm 3,α= 0.76

结论：迁移率随掺杂浓度增加而降低！2011-9-10第3章 CMOS集成电路的物理结构 20

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