映瑞光电并购中谷光电的可行性研究报告(增长)(3)

2）CREE

垂直结构LED芯片的技术领先性，能够为企业创造巨大的价值。目前，全球唯一量产垂直结构LED芯片的厂商CREE，其LED封装（含芯片）毛利率约45%。

图 CREE公司LED产品销售收入及毛利预测（来源：ThomsonOne） 3）小结

三安光电和美国CREE是LED产业内最具代表性的两家企业，从对这两家企业的分析：LED外延芯片是技术和资本双密集型产业，由于行业特点，目前行业的主要的盈利模式有以下两点：

1、依靠政府补贴和低成本优势的规模化生产

三安光电在GaN基LED芯片方面采取的策略均是大规模的生产蓝宝石衬底平面结构LED芯片。

三安光电获得了内地政府的补贴，在政府和内地低成本的劳动力，两家公司的盈利水平较为稳定和持续。

2、高端芯片的技术优势

相较于中国内地（以三安光电为代表）的规模化生产，美国厂商CREE依靠其独特的垂直结构LED芯片技术，占领了高毛利的高端LED芯片市场。其毛利远高于三安光电。

LED外延、芯片厂商的盈利需要政府的大力支持或者厂商本身的技术优势。映瑞光电拥有垂直结构和倒装结构LED的核心技术，能够研发出高端、高毛利的高亮LED芯片，与中谷光电开展合作后，能够扩大产能。同时，映瑞与中谷的发展均得到当地政府及产业区管委会的大力支持（上海临港产业区管委会与南通苏

通产业区）。映瑞并购中谷之后，一方面，技术上比较领先，另一方面，政府也大力支持，再技术和政府支持方面均符合行业发展的需求，因此，映瑞和中谷将能够成为国内最具竞争力的LED芯片制造商。

第三章 映瑞光电发展情况

3.1、概况

映瑞光电科技（上海）有限公司（以下简称“映瑞光电”）成立于2010年7月，是一家在中国大陆从事LED及相关产业链设计、研发与制造的中外合作的高科技企业。映瑞光电在2010年7月29日和上海临港集团签约LED光电项目，双方将共同在上海临港产业区打造国家级LED产业化示范基地，中共中央政治局委员、市委书记俞正声出席签约仪式。

公司主要产品为LED外延片及LED芯片，产品受到全球最大的LED芯片厂商——台湾晶元光电、台湾第四大LED芯片厂——泰谷光电及国内上市公司——瑞丰光电的认可，技术水平达到国内顶级、国际领先水平。公司产品除了外延片、芯片以外，还在积极开发倒装芯片和垂直芯片等国际领先的LED芯片技术，力争在2016年达到国际顶级水平。 3.2、公司市场情况

2013年，由于公司技术研发的大幅度进步公司全年实现出货9663万元。 2014年1-9月，公司出货与2013年同比大幅增长，实现出货合计1.18亿元，同比增长73%，其中2014年7-9月连续3个月销售收入超过2000万元。如图所示。

250020001500100050001月3562012月3月730545110380615029181023100975412052013年2014年20002002220018023242014月5月6月7月8月9月 图 映瑞光电2014年出货情况以及与2013年的同比情况

3.3、技术研发情况 3.3.1 技术研发团队介绍

2013年，由李起鸣博士牵头，并带领美国博士团队归国加盟映瑞光电，在映瑞光电的技术发展进程中引入国外先进的研发管理模式和顶级的LED外延芯片技术。

1）李起鸣博士

李起鸣博士，74年出生于天津，祖籍山东。北航材料学士、清华核材料硕士、美国新墨西哥州大学博士，化学工程博士。SiC， SiGe，III-Nitride半导体顶级专家，曾担任美国能源部Sandia国家实验室科学家、美国能源部EERE半导体照明中心科学家、美国电子材料学会（EMC）特约分会主席；具有多年国际发行专业期刊审稿人、国际大型公司技术投资顾问经验；发表高影响指数文章二十余篇、国际会议上做报告近40次；获得美国专利5项、美国能源部内部发明11项、获得美国国家实验室颁发的专利奖、多次获得美国国家实验室杰出雇员奖表彰。

2）其他核心团队成员

团队其他核心成员来自美国新墨西哥州立大学及耶鲁大学，在LED及半导体产业方面拥有多年的研究和产业化经验，团队成员的专业方向涵盖了理论、模拟、工艺等LED产业所需的全部方面。

表 核心技术团队成员

序号 姓名 美国新墨西哥大学博士 1 张磊 美国Nanocrystal Corporation创始人及技术总监,拥有18年半导体光电领域的研发经验,并主导与EPISTAR、FOREPI等世界知名LED公司研发项目 获得4项国际及美国专利,国际知名的学术期刊及学术会议上发表专著论文三十余篇 耶鲁大学/山东大学联合培养博士，耶鲁大学 副研究员 2 张宇 申报美国和国际专利十余项，国际会议报告近20次，发表专著论文三十余篇 Epistar，Bridgelux等世界知名LED公司合作开发新技术 3 徐慧文 双博士：美国新墨西哥州大学电子工程博士；湖南大学光学博士 发表专著论文十余篇 美国新墨西哥州大学博士，电子工程 4 琚晶 发表专著论文十余篇 专长：芯片光电性能模拟 主要经历

3.3.2技术研发进展

2013年公司在技术研发方面有重大突破，主要聚焦在新型外延结构的开发、电极结构的优化、芯片小型化技术、垂直结构LED开发等方面。

1）新型外延结构开发

公司在外延结构中创新性的引入新型电子阻挡层（E-Block Layer，简称EBL）结构。传统外延结构中，大电流下电子泄露极易导致漏电，进而导致芯片在大电流驱动下衰减过快。映瑞在外延结构中引入新型电子阻挡层以后，发光效率在低电流密度下提升5%、高电流密度下提升15%，如图所示。

图 新型EBL对发光效率的提升（图中蓝线为新型EBL结构） 2）高反射金属电极开发

LED芯片电极的金属部分无法透光，利用金属电极将入射至金属表面的光反射回LED芯片内部，进而使其出射至芯片外部，是整个LED行业所面临的共同课题。

李起鸣博士团队加盟公司之后，将部分研发精力集中在高反射金属电极的开发方面，2013年9月完成了高反射金属电极的第一轮开发，芯片整体出光效率提升5%；2013年12月完成了第二轮开发，芯片整体出光效率再度提升3%。

3）新材料ITO透明电极开发

ITO为透明电极材料，它需要同时具有好的导电性和透光性，以提高LED的发光效率。产线起初使用电子束蒸镀的方法实现ITO沉积。2013年公司新引进反应等离子体沉积设备（Reactive Plasma Deposition，简称RPD），用于开发新材料ITO透明电极。通过一系列理论和实验证明，用RPD蒸镀的ITO有更好的导

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