通过分析MOSFET功耗产生机制来提高同步整流效率(7)

图5. 四象限SR器件优化表

使用优化表时，首先从次级变压器电压开始。在所用电压值位置，画一条垂直的直线。在这条直线与表示一种特定MOSFET解决方案的曲线的相交处，依次再画一条水平的直线和一条垂直的直线，便可按开关频率和MOSFET电流完成选择。如前面所讨论，按满负载的20%至30%的电流值进行选择，是一个良好的开端。此时，可以在正Y轴上读取最优RDS(on)值。在第四个象限中，显示了并联MOSFET的最佳数量。在第四个象限中，必须选择之前在第一个象限中选定的MOSFET型号。然后，按同样的参数（变压器电压、开关频率和电流RMS）对另一个型号的MOSFET重复执行这个选择过程。比较两次选择所得到的最优RDS(on)值。最优RDS(on)值越低的MOSFET优化方案，所产生的功率损耗也越低，因而是更加高效的解决方案。

这个MOSFET选择方法，是在假定应用具备最优开关性能的条件下，计算得到的。如果发生了诸如动态开启或崩溃等二阶效应，那么，这个优化表可能不准确。此外，硬开关转换器拓扑可实现最佳结果。任何谐振软开关拓扑均可能导致偏差，因为可以回收利用开关过程产生的部分电量。在这种情况下，实际最优RDS(on) 值应低于利用优化表计算得到的值。请注意，一次侧采用准谐振拓扑（例如，相移ZVS全桥）也可使二次侧的同步整流实现硬开关性能，从而也可以利用这种设计优化表来进行优化。

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