通过分析MOSFET功耗产生机制来提高同步整流效率(5)

图3. 功率损耗与RDS(on)值的关系

对于优化SR，另一个重要问题是正确选择MOSFET封装。只要将TO-220封装，替换为SuperSO8封装，即可实现效率提升。这是因为，SuperSO8封装的电阻占总RDS(on)的比例更低。在降低RDS(on)的同时，保持输出电容不变，能够降低FOMQoss。FOMQoss是特定MOSFET解决方案的性能指标（FOMQoss= RDS(on) * Qoss）。因此，降低FOMQoss可以降低开关损耗，从而提高系统能效。

4. 应当按何种负载电流优化MOSFET？

要在整个负载范围内实现均衡的效率，必须借助四象限SR器件优化表，对MOSFET电流做出合理的选择。采用满负载优化，可以在输出电流较高时实现良好的效率。但是，当负载较低时，这种方法会大大降低效率，并且所需并联MOSFET的数量将多得不能接受。因此，必须找到最优MOSFET电流，以在整个输出电流范围内实现相对恒定的效率值。

为阐明这个问题，图4显示了不同优化方法得到的效率。图中所示效率曲线为，当变压器电压为40V、栅极驱动电压为10V、开关频率为100kHz时，计算得到的12V同步整流级的效率。以75V IPP034NE7N3优化表为例，按10 A MOSFET电流进行优化设计，所得到的优化方案仅需一个MOSFET。如图4所示，这种优化方案能够在低电流时实现很高的效率，而在高电流时效率却极低。按50 A进行优化设计，所得到的优化方案则需要5个MOSFET。采用

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