通过分析MOSFET功耗产生机制来提高同步整流效率(4)

图2. 功率损耗构成与输出电流的关系

在选择最适当的MOSFET时，必须特别注意RDS(on) 的值范围，如图3所示。当RDS(on)超出最优值时，总功率损耗将随RDS(on)的提高而线性增加。但当RDS(on) 降至低于最优值时，总功率损耗也会因输出电容的快速增加而急剧上升。此外，在图3中可以看出，可实现最低功率损耗的RDS(on)值范围相当宽。在本例中，当RDS(on)在1毫欧姆至3毫欧姆范围内时，总功率损耗始终大致相同。但是，在此范围之外，RDS(on)仅下降0.5毫欧姆，便会令总功率损耗提高一倍，从而严重降低电源转换器的效率。

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