OB2269中文资料(9)

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OB2268/OB2269设计指导

图12

对芯片而言，整个系统的环路响应是芯片的FB端通过检测U3光耦反馈传输过来的信号强

度及信号变化来进行控制的，系统的响应特性不仅与OB431的增益有关，而且与光耦的传输特

性有关。为了使系统具有较好的动态响应特性，我们需要调节OB431的 反馈增益环路相关元件

RF与CF的值，使环路具有较高的增益，另外需要调节Rd的值(Rd的取值不宜过大)，使U3光耦

发射二极管端能够把次级变化的信号转化为电流变化信号，并迅速的反馈到芯片的FB端进行跟

随控制。在输出16V/3.5A的系统中，选择U3为PC817C,Rd=270 ，Rbias=1K 。

8. 系统进入间歇工作模式(Burst mode)的条件：

为使系统在空载或轻载的待机模式下尽可能的降低系统整机的损耗，达到国际能源机构最

新的推荐标准，OB2268为系统提供了较为人称道的间歇工作模式(Burst Model)，当

1.0V<VFB<1.8V，且Vdd端(7脚)电压达到芯片内部预置的稳定的Burst Model门限电压值

(Vth_burst≈12.5V，考虑到系统温度的影响，设计中建议该门限电压值Vth_burst＞12.8V)时芯片

就会使系统进入稳定的间歇工作模式(Burst mode)。这时系统的工作原理可简略的描述如下：当

Vdd大于预置电压12.8V时Gate立即关闭输出，变压器储存的能量就会通过输出绕组传输到输

出端用以维持系统输出的稳定直到下个周期的到来；同时，变压器辅助绕组也通过耦合输出绕

组给Vdd端电容充电，使Vdd端电压持续上升，直到输出绕组停止传输能量。间隔一段时间后，

芯片内部持续消耗Vdd端电容储存的能量使Vdd端电压下降，一旦Vdd端电压下降到小于预

置电压12.8V(典型值)时gate就会输出脉冲进入正常工作状态，直到Vdd大于预置电压12.8V(典

型值)重复上述循环。

9. 内置保护说明：

9.1 短路保护(SCP)、过流保护(OCP)及过功率保护(OPP/OLP)：

芯片6脚SENSE端通过监控系统初级侧(一次侧)流过主开关管的电流信号活动，芯片

能检测到系统过流或过功率的状况。当系统输出发生短路、过流或过功率现象时，如果

SENSE端的电压VTH_OC超过0.86V(典型值)时，Gate端输出脉宽将会被限制输出，这时系

统处于恒功率输出状态Po=Vo*Io，即如果增加输出负载电流，那么系统输出电压相应会下

降，FB相应上升；当这种现象持续80mS后，芯片将使系统进入过功率保护(OLP)状态，

Gate会立即关闭输出，保护整个系统，然后芯片重新启动，Gate输出驱动信号，当故障依

然存在时系统将重复上述现象。当系统进入过功率保护状态时，系统损耗的平均功率是较

低的。

9.2 过压保护(OVP)及过压钳位(VDD clamp)：

OB2268/69 芯片VDD端内置有过压保护(OVP)及VDD过压钳位电路，当VDD端电压

Vdd上升到23.5Vmin时，芯片会进入过压保护状态，这时Gate停止输出，从而保护整个

系统；如果VDD端电压由于某种原因继续上升，一旦Vdd≥35V(典型值)芯片VDD端内置的

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