OB2269中文资料(8)

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特别指出的是，OCP补偿的设计是基于拿掉R-C网络设计的，如果设计时系统加入了R-C

网络，系统的OCP补偿特性将受到一定的影响。

5. Gate端驱动信号输出：

芯片采用图腾结构驱动输出，可直接驱动MOSFET。同时芯片还内置了一个18V的驱动

输出钳位电路，防止由于某种原因导致系统驱动输出电压过高使MOSFET的栅极击穿。

为改善系统EMI，芯片设计时对驱动信号进行了软驱动优化处理。

6. RT端应用及软启动电路：

6.1 过温保护电路设计：

RT端可通过外接温度检测电路构成简易的OTP保护电路，

常用电路见图10，图中R1起微调作用。OTP保护方式为自恢复

（Auto-recovery）模式。 RT端内部连接了一个恒流源，该恒流源提供的电流与芯片

的工作频率成反比，在RI=100K时，恒流源提供的电流为70uA

（典型值），RI=130K时，恒流源提供的电流约为53.8uA（典型值）。当因某种因素导致系统内

部温度逐渐上升时，NTC温度补偿电阻受温度升高的影响，其阻值逐渐降低，从而使RT端的电

压逐渐下降，直到RT端的电压降到1.065V（典型值）以下并持续100uS后，芯片Gate停止驱

动，电源输出关闭，保护整个系统；当系统内部温度逐渐降低时，温度补偿电阻受温度下降的影

响，其阻值逐渐升高，从而使RT端的电压逐渐上升，直到RT端的电压上升到1.165V（典型值）

并持续100uS后，芯片自动恢复输出，系统恢复正常工作。

由于NTC电阻的精度及生产过程中NTC电阻检测点的不一致性导致系统的OTP点误差较

大，推荐R1使用可调电阻，产品在生产时可通过调节该可调电阻阻值来调整系统的OTP的精度，

满足不同的客户需求。

6.2 软启动电路：

在RT与FB之间可以构成传统的软启动电路，其电路见图11。RT内部有一个约70uA(fPWM

= 65KHz)的恒流源，而且其门限电压超过1V(开环电压为3.5V)，FB端的最大输出电流IFBMAX为

0.7mA左右，这保证了软启动电路的可行性。芯片启动后该恒

流源首先打开，开始给电容C1充电，这时RT两端电压

VR2>0.7V，Q1处于饱和导通状态，VFB≈0.3V，Gate关闭输出；随着C1充电电流的逐渐减小，C1两端的电压也逐渐增加，RTQ1由饱和导通状态逐两端的电压跟随降低， 当VR2<0.7V时，

渐转为截止状态， FB的电压逐渐上升，直到VFB>1.0V(典型

值)，Gate开始输出，达到软启动的目的。 7. 动态响应(DNY)的调整： 从动态响应的原理来看，系统要具有较快的环路响应特性才能使系统的动态响应特性较

好。通过分析图12中的电路，对调整系统的动态响应特性是很有帮助的。

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