OB2269中文资料(7)

好好的OB2269中文资料

保证整个系统的安全。 注意：1. 芯片在设计初始为了降低系统工作在空载或较轻负载(1/30满载)的状态下系统整机的功

率损耗，系统正常工作时OB2268 FB端允许的最大的输出电流IFBmax≈0.5mA，最小工作

电流IFBmin≈0.18mA；即流过光耦接收端集射极的电流Ic最大为0.5mA左右，最小为

0.18mA左右。假设光耦的最大传输比CTR=0.8，系统二次侧(次级)LT431的工作电流仅由

流过光耦发射端二极管的电流IF提供，那么通过Ic折算到流过光耦发射端二极管的电流

IF最大仅为0.63mA,这个电流将无法满足LT431的最小工作电流（1mA），所以在系统设

计时，使用OB2268设计的系统必须给次级LT431提供一个常态偏置电阻(见典型电路中的

Rbias)，使LT431工作在正常的状态，否则系统的负载调整率或其他性能可能会发生异常,

在16V输出的系统中，考虑空载或轻载时系统的损耗因素，推荐使用的偏置电阻阻值为

1K 。

2. 当VFB=1.0~1.8V时系统工作在间歇工作模式，如果系统出现可听及的异音，请先检查系

统是否工作正常，如果你确认无误，请检查系统缓冲吸收回路中的电容材质，如果使用的是

普通压电陶瓷电容，那么当系统工作在间歇工作状态时电容由于发生压电效应而产生异音是

很可能的。这时，请更换电容的材质，如MYLA，PEA，MEF或CBB等薄膜类电容；考虑

成本及电容体积大小的因素，我们推荐使用MYLA电容，在保证吸收回路效果的前提下可

以通过调整缓冲吸收回路中的电阻阻值来减少该电容的值有利于缩小电容体积及降低系统

成本，例如2200PF/250V，4700PF/250V或10000PF/250V的MYLA电容可以接受的。

3. 当系统工作在满载的情况下如果系统出现可听及的异音时，请检查系统是否工作正常，

如果你确认无误，请检查芯片的FB端的电压波形是否较平滑，如果发现较大的干扰请检查

系统的PCB layout是否合理，对于较小的干扰可通过外加滤波网络进行抑制，如图中的RFB

及CFB组成的低通滤波器，这里RFB，CFB的取值不宜过大，比如47 Ohm，1000 PF；根据

系统的实际情况，RFB可以为0 Ohm。RFB，CFB的取值会影响系统的环路稳定，一般CFB的

取值建议要≤4700PF。

4. 当系统工作在输出空载，轻载或满载转空载的情况下，如果发现输出端电压在较大范围

内波动时，请首先确定电路设计、PCB layout是否正确及环路是否稳定，如果确定无误，请

再次检查变压器给芯片供电的辅助绕组是否能保证系统在输出空载或轻载的情况下芯片

VDD端的电压在10.5V(UVLO典型值)以上，否则系统可能工作在UVLO临界状态。值得注

意的是变压器辅助线圈在设计时需要把与VDD端相连的整流二极管的压降及限流电阻的压

降考虑进去，另外还要考虑变压器层间耦合系数/强度的关系；耦合较弱时，空载时芯片VDD

端电压值较低，容易进入UVLO状态，但是满载状态下VDD端电压上升较少；耦合过强，

对提高空载时芯片VDD端电压稳定系统有较大的帮助，但满载状态下VDD端电压上升较多，

容易让芯片进入过压保护状态。考虑到系统满载瞬间转空载或空载瞬间转满载时由于能量瞬

变导致VDD端电压下冲误触发UVLO的原因，在系统允许的输入电压范围内且系统输出为

空载时建议芯片VDD端电压要＞12.5V，这里特别要注意高端输入电压如264V/50Hz时的情

况。

4. Sense端的输入：

内置的前沿消隐(LEB)电路，可以为系统节省一个外部的R-C网络。如果由于Sense端的电

流反馈信号前沿噪声干扰持续时间超过芯片内置的前沿消隐(LEB)时间导致系统性能异常，可以

考虑外接R-C网络，但建议R-C的取值不宜过大，否则可能会引起电流反馈信号的失真过大，

导致系统启动或输出端短路时MOSFE漏源端电压Vds过高等常见的系统异常现象。推荐R-C

网络的取值为：R≤680 ，C≤1000PF。没有特别的需要，不建议外接R-C网络。

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