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ISONIC 2009相控阵操作说明 - 图文(3)

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(9)激发设置:见图16所示。

① 增益:/

② 开始:设置从第几个晶片开始激发。 ③ 激发晶片数:激发晶片数量。

④ 入射角度:根据检测要求而定。一般设置为扇形角度范围的中间角度。例如扇形角度范围

35°~75°,则入射角度设置为55°。 ⑤ 聚焦深度:在厚度激活的情况下

聚焦声程距离:在厚度关闭的情况下

图16

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(10)接收设置:见图17所示。

① 增益:/

② 开始:设置从第几个晶片开始接收。 ③ 激发晶片数:接收晶片数量。 ④ 入射角度。

⑤ 聚焦深度: 在厚度校正激活的情况下

聚焦声程距离: 在厚度校正关闭的情况下

图17

(11)其他参数设置:

厚度修正: 激活厚度修正后,即可更改工件厚度 激发反射次数设置 接收反射次数设置 0.5为一次波,1为二次波,依次类推 次数越多,厚度穿透减半

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第八步:DAC曲线的制作。

(1)把DAC/TCG/DGS更改为建立,激发反射次数设置为0.5(一次波)。

(2)关闭厚度校正,聚焦距离设置为近场区外。根据检测具体情况设置,一般设置为150㎜。 (3),把探头放到ⅢA试块上,找到深度为10mm孔的最大反射波,调节增益,把反射波高设置为屏幕满屏高80%,见图18所示。

(4)用A闸门捕捉深度为10mm孔的最大反射波,记录点设置为1,见图19所示。

图18

图19

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(5)把探头放到ⅢA试块上,找到深度为20mm孔的最大反射波,用A闸门捕捉深度为20mm孔的最大反射波,记录点设置为2,见图20所示。

图20

(6)把探头放到ⅢA试块上,找到深度为30mm孔的最大反射波,用A闸门捕捉深度为30mm孔的最大反射波,记录点设置为3。以次类推,直到曲线制作完成,见图21所示。 (7)激活DAC曲线:把DAC/TCG/DGS更改为DAC,见图21所示。

图21

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第九步:根据被检工件规格设置检测参数。

(1)设置工件厚度:激活厚度校正,并设置为工件厚度。 (2)设置激发反射次数:设置为1。 (3)聚焦深度:板厚最大声程处。

(4)耦合补偿:根据工件表面状态,一般补偿3~5dB。

(5)点击进入角度增益修正。

第十步:角度增益修正及设置扇形扫查角度范围。

在CSK-ⅠA试块上进行修正,完成后点击下一步,见图22和图23所示。

扇形扫查角度范围根据具体的检测情况而定,一般设置为35°~76°。本设备扇形扫查角度范围设置,最小角度为35°,最大角度为80°。

图22 CSK-ⅠA试块

图23

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