77范文网 - 专业文章范例文档资料分享平台

电工学(电子技术)课后答案第一部分第六版_秦曾煌(2)

来源:网络收集 时间:2019-04-02 下载这篇文档 手机版
说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全,需要完整文档或者需要复制内容,请下载word后使用。下载word有问题请添加微信号:或QQ: 处理(尽可能给您提供完整文档),感谢您的支持与谅解。点击这里给我发消息

练习与思考14.3.1 二极管的伏安特性曲线上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压典型值约为多少?

答:当二极管正向偏压很小时,正向电流几乎为零,当正向偏压超过一定数值后,电流随电压增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。硅管死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。

练习与思考14.3.2 为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?

答:当二极管加反向电压时,通过PN结的只有少数载流子的漂移运动所形成的漂移电流。在常温下,由于少数载流子数目极少,在不太大的反向电压下已全部通过PN结,因而,即使反向电压再升高,反向饱和电流仍保持很小的数值不变。当环境温度升高时,少数载流子迅速增多,电流也明显增大。

练习与思考14.3.3 用万用表测量二极管的正向电阻时,用R*100挡测出的电阻值小,而用R*1 k?挡测出的大,这是为什么?

答:万用表测电阻是通过测量电阻中的电流而获得其电阻值。指针式万用表测电阻,指针偏转角度越大,读出电阻值越小。在使用R*100挡时,万用表内阻小,加到二极管两端的正偏压大,流过二极管的正向电流大,指针向右偏转角度大,测得的电阻小。在使用R*1 k?挡时,万用表内阻大,加到二极管两端的正向偏压小,流过二极管的正向电流小,指针向右偏转角度小,测得的电阻大。

练习与思考14.3.4 怎样用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏? 答:将万用表旋到电阻挡,表笔接在二极管两端,以阻值较小的一次测量为

260

准,黑表笔所接的为正极,红表笔接的一端为负极。当正接时电阻较小,反接时电阻很大表明二极管是好的。

练习与思考14.3.5 把一个1.5V的干电池直接接到(正向接法)二极管的两端,会不会发生什么问题?

答:产生大的电流,烧坏电源。 练习与思考14.3.6 在某电路中,要求通过二极管的正向平均电流为80mA,加在上面的最高反向电压为110V,试从附录C中选用一合适的二极管。

答:选择2CZ52D

练习与思考14.4.1 为什么稳压二极管的动态电阻愈小,则稳压愈好? 答:动态电阻是指稳压二极管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值,动态电阻越小,反向击穿特性曲线越陡,稳压效果越好。

练习与思考14.4.2 利用稳压二极管或者普通的二极管的正向压降,是否也可以稳压?

答:也具有一定的稳压作用,硅管两端保持0.6~0.8V,锗管两端保持0.2~0.3V,其实际意义不大。

练习与思考14.5.1 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用,为什么?

答:晶体管结构主要特点是:E区的掺杂浓度高,B区的掺杂浓度低且薄,C区结面积较大,因此E极和C极不可调换使用。

练习与思考14.5.2 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大?

答:不一样大,在饱和区,IB的变化对IC影响较小,两者不成正比,放大区的放

大系数不适用于饱和区。

练习与思考14.5.3 晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?

答:外部条件:晶体管的偏置电压必须满足发射结正向偏置,集电结反向偏置。 内部条件:发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度低,集电结面积大,且集电压掺杂浓度低。

练习与思考14.5.4 为什么晶体管基区掺杂浓度小且做得很薄? 答:只有这样才可以大大减少电子与基区空穴复合的机会,使绝大部分自由电子都能扩散到集电结边缘,形成集电极电流IC=

?Ib,使晶体管成为电流控制器件。

261

练习与思考14.5.5 将一PNP型晶体管接成共发射极电路,要使它具有电流放大作用,EC 和EB的正、负极应如何连接,为什么?画出电路图。

答:电路如图所示,这样连接才能保持发射结正向偏置,集电结么向偏置,三极管具有电流放大作用。

RcCBERbEcEb

练习与思考14.5.5图

练习与思考14.5.6 有两个晶体管,一个管子?=50,ICBO=0.5 ?A;另一个管子

?=150,ICBO=2?A的晶体管由于ICBO比较大,受温度影响大,影响静态工作点的稳

定性。

练习与思考14.5.7 使用晶体管时,只要1)集电极电流超过ICM值;2)耗损功率PCM值;3)集一射极电压超过U(BR)CEO值,晶体管就必然损坏。上述几种说法是否都是对的?

答:1)会损坏;2)会损坏;3)会损坏,以上几种说法都正确。

练习与思考14.5.8 在附录C中查出晶体管3DG100B的直流参数和极限参数。

答:直流参数:ICBO=0.1 ?A,IEBO=0.1 ?A,ICEO=0.1 ?A,UBE(sat)=1.1V,

hFE(?)=30

极限参数:U(BR)CBO=40V,U(BR)CEO=30V,U(BR)EBO=4V,ICM=20mA,

PCM=100mV,TjM=150?C

练习与思考14.5.9 测得某一晶体管的IB=10 ?A,IC=1mA,能否确定它的电流放大系数?什么情况下可以,什么情况下不可以?

答:?=

IC?IC,??,两者的含义是不同的,但在输出特性曲线近于平行等距,IB?IB并且ICEO较小的情况下,两者数值较为接近,在这种情况下,可以利用IB和IC的值确定?,否则不行。

练习与思考14.5.10 晶体管在工作时,基极引线万一断开,为什么有时会导致管

子损坏?

答:当基极断开,加在C极,E极之间的电压UCE>U(BR)CEO时,管子会被损坏。

14.5 习题讲解

习题14.3.1 题14.3.1图是二极管组成的电路和输入电压UI的波形,试画出

262

输出电压u0和电阻R上电压UR的波形。二极管的正向压降可忽略不计。

DUi/V10++Ud-++5UiRUrUo_35v0t-_-2(a)(b)

分析:在二极管正向压降可忽略不计的条件下,UI?5V时,二极管导通,u0=5V+uR。当UI<5V时,二极管截止,u0=5V。

解:uR与u0波形如下图所示:

Ur/VUi/V105v530t-2t

Uo/V10v5v5v5vt

习题14.3.2 在题14.3.2图所示的各电路中,E=5V,Ui=10sin(?t)(v),二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压u0的波形。

DR++++DUiUoRUiUoEE____(a)(b)

263

RDUiE (c)习题14.3.2图

分析:图(a)和图(c)电路中,二极管接在输出回路中,当二极管导通时,u0=E;当二极管截止时,u0=ui。图(b)和图(d)电路中,二极管串接在输入回路中,二极管截止时,

D RUoUoE (d)

u0=E;二极管导通时,u0=E+uR=ui。

解:(a):ui为正半周时,当ui>E,D导通,当ui

百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读,免费范文网,提供经典小说综合文库电工学(电子技术)课后答案第一部分第六版_秦曾煌(2)在线全文阅读。

电工学(电子技术)课后答案第一部分第六版_秦曾煌(2).doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印 下载失败或者文档不完整,请联系客服人员解决!
本文链接:https://www.77cn.com.cn/wenku/zonghe/568000.html(转载请注明文章来源)
Copyright © 2008-2022 免费范文网 版权所有
声明 :本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。
客服QQ: 邮箱:tiandhx2@hotmail.com
苏ICP备16052595号-18
× 注册会员免费下载(下载后可以自由复制和排版)
注册会员下载
全站内容免费自由复制
注册会员下载
全站内容免费自由复制
注:下载文档有可能“只有目录或者内容不全”等情况,请下载之前注意辨别,如果您已付费且无法下载或内容有问题,请联系我们协助你处理。
微信: QQ: