(2) 设存储器的读/写周期均为0 .5μs ,CPU 在1μs 内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理? 相邻两行之间的刷新间隔是多少? 对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?
解:(1) 存储器的结构框图如图5-22 所示。
(2) 因为要求CPU 在1μs 内至少要访存一次,所以不能使用集中刷新方式,分散和异步刷新方式都可以使用,但异步刷新方式比较合理。
相邻两行之间的刷新间隔= 最大刷新间隔时间÷ 行数= 2ms ÷ 128 = 15 .625μs 。取 15 .5μs ,即进行读或写操作31 次之后刷新一行。
对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间= 0 .5μs × 128 = 64μs
18 .有一个8 位机,采用单总线结构,地址总线16 位(A15 ~ A0 ) ,数据总线8 位(D7 ~ D0 ) ,控制总线中与主存有关的信号有MREQ(低电平有效允许访存)和R/W(高电平为读命令,低电平为写命令) 。
主存地址分配如下:从0 ~ 8191 为系统程序区,由ROM 芯片组成;从8192 ~ 32767 为用户程序区;最后(最大地址)2K 地址空间为系统程序工作区。(上述地址均用十进制表示,按字节编址。)
现有如下存储芯片:8K × 8 的ROM ,16K × 1 、2K × 8 、4K × 8 、8K × 8 的SRAM 。请从上述规格中选用芯片设计该机主存储器,画出主存的连接框图,并请注意画出片选逻辑及与CPU 的连接。
解:根据CPU 的地址线、数据线,可确定整个主存空间为64K × 8 。系统程序区由ROM 芯片组成;用户程序区和系统程序工作区均由RAM 芯片组成。共需:8K × 8 的ROM 芯片1 片,8K × 8 的SRAM 芯片3 片,2K × 8 的SRAM 芯片1 片。主存地址分配如图5-23 所示,主存的连接框图如图5-24 所示。
19 .某半导体存储器容量15KB ,其中固化区8KB ,可选EPROM 芯片为4K × 8 ;可随机读/写区7KB ,可选SRAM 芯片有:4K × 4 、2K × 4 、1K × 4 。地址总线A15 ~ A0 (A0 为最低位) ,双向数据总线D7 ~ D0 (D0 为最低位) ,R/W控制读/写,MREQ为低电平时允许存储器工作信号。请设计并画出该存储器逻辑图,注明地址分配、片选逻辑、片选信号极性等。
20 .某机地址总线16 位A15 ~ A0 (A0 为最低位) ,访存空间64KB 。外围设备与主存统一编址,I/O 空间占用FC00 ~ FFFFH 。现用2164 芯片(64K × 1)构成主存储器,请设计并画出该存储器逻辑图,并画出芯片地址线、数据线与总线的连接逻辑以及行选信号与列选信号的逻辑式,使访问I/O 时不访问主存。动态刷新逻辑可以暂不考虑。
解:存储器逻辑图如图5-26 所示,为简单起见,在图中没有考虑行选信号和列选信 号,行选信号和列选信号的逻辑式可参考下题。
在64KB 空间的最后1KB 为I/O 空间,在此区间CS无效,不访问主存。
21 .已知有16K × 1 的DRAM 芯片,其引脚功能如下:地址输入A6 ~ A0 ,行地址选择RAS ,列地址选择CAS ,数据输入端DIN ,数据输出端DOUT ,控制端WE 。请用给定芯片构成256KB 的存储器,采用奇偶校验,试问:需要芯片的总数是多少? 并请: (1) 正确画出存储器的连接框图。 (2) 写出各芯片RAS和CAS形成条件。
(3) 若芯片内部采用128 × 128 矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
解:(1) 需要的芯片数= 128 片,存储器的连接框图如图5-27 所示。
(3) 若芯片内部采用128 × 128 矩阵排列,设芯片的最大刷新间隔时间为2ms ,则相 邻两行之间的刷新间隔为:
刷新间隔= 最大刷新间隔时间÷ 行数= 2ms ÷ 128 = 15 .625μs
可取刷新间隔15 .5μs 。22.并行存储器有哪几种编址方式? 简述低位交叉编址存储器的工作原理。
解:并行存储器有单体多字、多体单字和多体多字等几种系统。
多体交叉访问存储器可分为高位交叉编址存储器和低位交叉编址存储器。低位交叉 编址又称为横向编址,连续的地址分布在相邻的存储体中,而同一存储体内的地址都是不 连续的。存储器地址寄存器的低位部分经过译码选择不同的存储体,而高位部分则指向 存储体内的存储字。如果采用分时启动的方法,可以在不改变每个存储体存取周期的前 提下,提高整个主存的速度。
22 .并行存储器有哪几种编址方式? 简述低位交叉编址存储器的工作原理。
解:并行存储器有单体多字、多体单字和多体多字等几种系统。多体交叉访问存储器可分为高位交叉编址存储器和低位交叉编址存储器。低位交叉编址又称为横向编址,连续的地址分布在相邻的存储体中,而同一存储体内的地址都是不连续的。存储器地址寄存器的低位部分经过译码选择不同的存储体,而高位部分则指向存储体内的存储字。如果采用分时启动的方法,可以在不改变每个存储体存取周期的前提下,提高整个主存的速度。
23 .什么是高速缓冲存储器? 它与主存是什么关系? 其基本工作过程如何?
解:高速缓冲存储器位于主存和CPU 之间,用来存放当前正在执行的程序段和数据中的活跃部分,使CPU 的访存操作大多数针对Cache 进行,从而使程序的执行速度大大提高。高速缓冲存储器的存取速度接近于CPU 的速度,但是容量较小,它保存的信息只是主存中最急需处理的若干块的副本。当CPU 发出读请求时,如果Cache 命中,就直接对Cache 进行读操作,与主存无关;如果Cache 不命中,则仍需访问主存,并把该块信息一次从主存调入Cache 内。若此时Cache 已满,则须根据某种替换算法,用这个块替换掉Cache 中原来的某块信息。
24 .Cache 做在CPU 芯片内有什么好处? 将指令Cache 和数据Cache 分开又有什么好处?
解:Cache 做在CPU 芯片内可以提高CPU 访问Cache 的速度。将指令Cache 和数据Cache 分开的好处是分体缓存支持并行访问,即在取指部件取指令的同时,取数部件要取数据。并且,指令在程序执行中一般不需要修改,故指令Cache 中的内容不需写回到主存中去。
25 .设某机主存容量为4MB ,Cache 容量为16KB ,每块包含8 个字,每字32 位,设计一个四路组相联映像(即Cache 每组内共有四个块)的Cache 组织,要求: (1) 画出主存地址字段中各段的位数。
(2) 设Cache 的初态为空,CPU 依次从主存第0 、1 、2 、? 、99 号单元读出100 个字(主 存一次读出一个字) ,并重复按此次序读8 次,问命中率是多少?
(3) 若Cache 的速度是主存的6 倍,试问有Cache 和无Cache 相比,速度提高多少倍?
解:(1) 主存容量为4MB ,按字节编址,所以主存地址为22 位,地址格式如图5-29所示。
(2) 由于每个字块有8 个字,所以主存第0 、1 、2 、? 、99 号字单元分别在字块0 ~ 12
中,采用四路组相联映像将分别映像到第0 组~ 12 组中,但Cache 起始为空,所以第一次读时每一块中的第一个单元没命中,但后面7 次每个单元均可以命中。
(3) 设Cache 的存取周期为T ,则主存的存取周期为6 T 。
无Cache 的访存时间为6 T
所以速度提高倍数= 6 ÷ 1 .096 = 5 .47 倍。
26 .什么叫虚拟存储器? 采用虚拟存储技术能解决什么问题?
解:虚拟存储器由主存储器和联机工作的辅助存储器(通常为磁盘存储器)共同组成,这两个存储器在硬件和系统软件的共同管理下工作,对于应用程序员,可以把它们看作是一个单一的存储器。
采用虚拟存储技术可以解决主存容量不足的问题。虚拟存储器将主存和辅存的地址空间统一编址,形成一个庞大的存储空间。在这个大空间里,用户可以自由编程,完全不必考虑程序在主存是否装得下以及这些程序将来在主存中的实际存放位置。
27 . 已知采用页式虚拟存储器, 某程序中一条指令的虚地址是: 000001111111100000 。该程序的页表起始地址是0011 ,页面大小1K ,页表中有关单元最 末四位(实页号)见下表:
请指出指令地址(虚地址)变换后的主存实地址。
解:页面大小1K ,页内地址10 位,根据页表,可以得出主存实地址为11001111100000 。
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