扫描电子显微分析与电子探针(15)

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扫描电子显微分析与电子探针

1.二次电子像衬度及特点

二次电子信号主要来自样品表层5~10nm深度范围，能量较低(小于 50eV)。影响二次电子产额的因素主要有： (1)二次电子能谱特性； (2)入射电子的能量； (3)材料的原子序数； (4)样品倾斜角θ。

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