471/1KVC3R147/2WD01VCC2NP+Vin-*TMBR20100NS.+Vf-D02MBR20100D04+R2VLILL-C5+470/25VC6+R44.7KR0100MBR20100D03MBR20100+47/2W470/25VLEDVo-C4471/1KVGND1
图3-10 输出滤波设计图
VL0-Vf-VoiL0Io(NS/NP)Vin-Vf-Vott
图3-11 输出滤波波形图
根据图所示，可以得出：
IOC?11Vf?Vo?iL?(1?D)T （3-57） 22L
39
L?Vf?Vo2IOCf(1?D)
LVf?Vo)(?1Dmin)max?(
2IOCf Lma越x大越容易连续
(NsNpDVin?Vf?VO)DT?(Vf?VO)(1?D)T
NsNpDVin?Vf?VO
D?Vf?VONpVinNs
所以L也就求出来了。 3.5.2 输出滤波器的参数计算
令 Ioc?10%Ion，f?75kHz，求：L
I11Vf?Vooc?2?iL?2?L(1?D)T
最大的电感：
40
3-58）3-59） （
（
L(
(m(Vf?Vb)(?1Dm?ax)2?0.Ion1?fin
)NsDVin?Vf?Vo)DT?Vf?Vo(1?D)T Np
NsDVin?Vf?Vo Np
D?Vf?VoNpVinNs
所以L(max?)(Vf?Vb)(1?Dmin)(3.3?1)?(1Dmin)??20uf 32?0.1Ion?f2?1?75?10 通过电感L的最大电流：
ILPK(max)?Ion? Ap值：
2LIlpk?104?20?10?6(Vo?Vf)(1?Dmin)2?L?f?11A
Ap?(450?0.4?0.25)1.143?0.4921cm4
Ae磁芯截面积和Aw磁芯窗口截面积：
Ae?128mm2，Aw?108mm2
41
Ap?Ae?Aw?1.3824cm4
UL?LditNAedB?dtdt
电感匝数NL：
UL?LditNAedB? dtdt
LdiLLilpk20?10?6?11NL???6.875
AedBAeBm128?10?6?0.25
NL?7匝：
ILrms?ILavg?Ion?2A
线径DL：
DL?4AL?4?2.54542?1.8007mm
3.14?
Icrms?Icavg?Ion?11A
42
温升 30oC时，
?0.125J?4.5ApAmm2?4.32149Amm2
AL?ILrms11??2.54542mm2 J4.32149 线径DL：
DL?4AL?4?2.54542?1.8007mm
3.14?
NL取7匝用0.53mm 11股并绕。
3.6 MOSFET开关管的设计
1 开关晶体管的设计
如何选择到性能参数合适的主开关与控制电路直接影响到变换器的性能。在这里需要清楚的是作为主开关的晶体管、MOSFET、IGBT或晶闸管的性能均耐压的上升而下降，因此在选择耐压时并不是超高越好，而是适可而止。
功率MOSFET 有分为N 沟道和P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。因为实际的制作工艺无法达到理论要求。[25]
MOSFET 是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点：开关速
43
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