数字电子技术期末复习题库及答案(6)

第6单元 能力训练检测题

一、填空题：

1、一个存储矩阵有64行、64列，则存储容量为 4096 个存储单元。

2、动态MOS存储单元是利用 电容C上存储的电压 存储信息的，为了不丢失信息，必须 不断刷新 。

3、EPROM的存储单元是在MOS管中置入 浮置栅 的方法实现的。写入程序时，在漏极和衬底之间加足够高的 反向脉冲电压 ，可使PN结产生 雪崩击穿 ，产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入 浮置栅 中。当将外部提供的电源去掉后， 浮置栅 中的电子无放电回路而被保留下来。

4、半导体存储器按照存、取功能上的不同可分为 只读存储器ROM 和 随机存取存储器RAM 两大类。其中 只读存储器ROM 事先存入的信息不会因为下电而丢失；而 随机存取存储器RAM 关闭电源或发生断电时，其中的数据就会丢失。

5、存储器的两大主要技术指标是 存储容量 和 存取速度 。

6、RAM主要包括 地址译码器 、 存储矩阵 和 读/写控制 电路三大部分。 7、存储器容量的扩展方法通常有字 扩展、位 扩展和 字、位同时 扩展三种方式。 8、ROM按照存储信息写入方式的不同可分为 固定 ROM、 可编程的 PROM、 可光擦除可编程 的EPROM和 可电擦除可编程 的E2PROM。 二、判断正、误题

1、RAM的片选信号CS=“0”时被禁止读写。 （错） 2、EPROM是采用浮置栅技术工作的可编程存储器。 （对） 3、ROM和RAM中存入的信息在电源断掉后都不会丢失。 （错） 4、1024×1位的RAM中，每个地址中只有1个存储单元。 （对） 5、可编程存储器的内部结构都存在与阵列和或阵列。 （对） 6、存储器字数的扩展可以利用外加译码器控制数个芯片的片选输入端来实现。 （对）

7、所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。 （错） 8、ROM的每个与项（地址译码器的输出）都一定是最小项。 （对） 三、选择题

1、一个容量为1K×8的存储器有（B）个存储单元。

A.8 B.8K C.8000 D.9018

2、要构成容量为4K×8的RAM，需要（D）片容量为256×4的RAM。

A.2 B.4 C.8 D.32

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3、寻址容量为16K×8的RAM需要（C）根地址线。

A.4 B.8 C.14 D.16

4、某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为（C）。

A.8×3 B.8K×8 C.256×8 D. 256×256 5、随机存取存储器具有（A）功能。

A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写

6、欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为（D）。

A.1 B.2 C.3 D.8 7、只读存储器ROM在运行时具有（A）功能。

A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写

8、只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容（D）。

A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变

9、随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容（C）。

A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变 10、一个容量为512×1的静态RAM具有（ A）。

A.地址线9根，数据线1根 B.地址线1根，数据线9根 C.地址线512根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根

四、简答题

1、现有（1024B×4）RAM集成芯片一个，该RAM有多少个存储单元？有多少条地址线？该RAM含有多少个字？其字长是多少位？访问该RAM时，每次会选中几个存储单元？

答：该RAM集成芯片有4096个存储单元；地址线为10根；含有1024个字，字长是4位；访问该RAM时，每次会选中4个存储单元。

2、什么是ROM？什么是RAM？它们的结构组成相同吗？二者的主要区别是什么？ 答：按存取方式分类，半导体存储器则可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种形式。RAM是能够通过指令随机地、个别地对其中各个单元进行读/写

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操作的一类存储器； ROM是计算机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器。。RAM和ROM都是由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路所组成；RAM与ROM的根本区别在于：正常工作状态下，ROM只能读出不能写入，而RAM则既能读出又能写入。

3、若存储器的容量为256K×8位，其地址线为多少位？数据线数？若存储器的容量为512M×8位，其地址线又为多少位?

答：存储器容量＝字数×位数，当存储器的容量为256K×8位时，可得字数为2n=256*1024，则地址线n=18位，数据线为8位；当存储器的容量为512M×8位，可得2n=512*1024×1024，其地址线n=29位。 五、计算题：

1、试用1K×1位的RAM扩展成1K×4位的存储器。说明需要几片如图6.31所示的RAM，画出接线图。（10分）

6.31

解：用1K×1位的RAM扩展成1K×4位的存储器，

需用4片如图11-16所示的RAM芯片，接线图为：

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第7单元 能力训练检测题

一、填空题：

1、斯密特触发器属于 双 稳态电路。斯密特触发器的主要用途有 整形电路、脉冲鉴幅 等。

2、单稳态触发器在触发脉冲的作用下，从稳定状态转换到暂稳状态。依靠自身作用，又能自动返回到稳定状态。

3、多谐振荡器电路没有稳态，电路不停地在暂稳状之间转换，因此又称作自激振荡器。

4、555定时器的最后数码为555的是TTL 产品，为7555的是CMOS产品。

5、施密特触发器具有 回差 现象，又称电压滞后特性；单稳触发器最重要的参数为 脉宽 。

6、常见的脉冲产生电路有

多谐振荡器，常见的脉冲整形电路有

单稳态触发器、施密特触发器。

7、为了实现高的频率稳定度，常采用 石英晶体振荡器；单稳态触发器受到外触发时进入暂稳态。

8、555定时器可以构成施密特触发器，主要用于脉冲波形的 整形 和 变换 ；555定时器还可以用作多谐振荡器和 单 稳态触发器。 二、判断正、误题

１、 施密特触发器可用于将三角波变换成正弦波。 （ 错 ） ２、 施密特触发器有两个稳态。 （ 对 ） ３、 多谐振荡器的输出信号的周期与阻容元件的参数成正比。 （ 对 ） ４、 石英晶体多谐振荡器的振荡频率与电路中的R、C成正比。 （ 错 ） ５、 单稳态触发器的暂稳态时间与输入触发脉冲宽度成正比。 （ 错 ） ６、 单稳态触发器的暂稳态维持时间用tW表示，与电路中RC成正比。 （ 对 ） ７、 采用不可重触发单稳态触发器时，若在触发器进入暂稳态期间再次受到触发，输出脉宽可在此前暂稳态时间的基础上再展宽tW。 （ 错 ）

８、 施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。 （ 对 ） 三、选择题

1．脉冲整形电路有 C 。

A.多谐振荡器 B.双稳态触发器 C.施密特触发器 D.555定时器 2、多谐振荡器可产生 B 。

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A.正弦波 B.矩形脉冲 C.三角波 D.锯齿波 3、石英晶体多谐振荡器的突出优点是 C 。

A.速度高 B.电路简单 C.振荡频率稳定 D.输出波形边沿陡峭 4、TTL单定时器型号的最后几位数字为 A 。 A.555 B.556 C.7555 D.7556 5、555定时器可以组成 ABC。

A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.JK触发器 6、用555定时器组成施密特触发器，当输入控制端CO外接10V电

压时，回差电压为 B 。

A.3.33V B.5V C.6.66V D.10V 7、以下各电路中， B 可以产生脉冲定时。

A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.石英晶体多谐振荡器 四、计算题：

1、在图10.5.1（a）所示的施密特触发器电路中，已知R1=10KΩ，R2=30KΩ。G1 和G2为CMOS反相器，VDD＝15V。

（1） 试计算电路的正向阈值电压VT＋、正向阈值电压VT－和回差电压ΔVT。 （2） 若将图10.5.1（b）给出的电压信号加到图10.5.1（a）电路的输入端，试画

出输出电压的波形。

图10.5.1

解： （1）

VT??(1?VT??(1?R11015)VTH?(1?)*?10VR2302R11015)VTH?(1?)*?5VR2302

?VT?VT??VT??5V

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