大学电力电子技术 第五版【王兆安刘进军】课后题详解答案(3)

大学电力电子技术 第五版【王兆安刘进军】课后题详解答案

c) Im3=2 I = 314,

Id3=1 Im3=78.5

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5. GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？

答：GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1和 2，由普通晶闸管的分析可得， 1+ 2=1是器件临界导通的条件。 1+ 2＞1，两个等效晶体管过饱和而导通； 1+ 2＜1，不能维持饱和导通而关断。

GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：

1) GTO在设计时 2较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断；

2) GTO导通时的 1+ 2更接近于1，普通晶闸管 1+ 2 1.15，而GTO则为 1+ 2 1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；

3) 多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

6. 如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？

答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超

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