微电子器件可靠性动态跟踪(4)

集成电路ESD方面的资料

０２ｕｒｎ。在０２ｕｒｎ以ｒ．

会戍ｊ＿｝』ｗ和夹层结构金属化互连线。再向Ｆ，对更小尺寸的电路．Ｃｕ和控制晶砬大小的ＡＪ可能适用。Ｃｕ的优点是薄层电阻低（比Ａ】低两倍）及熔点高，抗电迁移能力强（比Ａ】提高一个数量级）。Ｃｕ的使ｆ｝ｊ需要解决ｃｕ在氧化物和硅中的快速扩散，以及Ｃｕ难以｝｝ｊＲＩＥ刻蚀等问题。

幽３为府力迁咎寿命与器竹尺－Ｊ。之间的关系幽。～般认为薄的钝化层及铰低的钝化层生长温度会对防应力迁移有一一定作ｊ｛ｊ．另外合理的布线结掏、封装技术、正确的金属层问介质（ＩＬＤ）材料的选择及淀积方法均可减小应力迁移。

金属互连线昀宽度和Ｉ间距的减小，导致互迄线的电龃和寄生电容增大。ＲＣ时间常数的增加使｝乜路速度降低。寄生｝乜容的增人使叱路功ｌＥ增人。进入ＧＢ时代．由卜光刻，布局和对电路性能的影响．烈层金属化已不雨适ｊ｛ｊ．而需要使州更多层的金属化结构。住多层金属

化中．为丁减小延迟、功

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Ｌｌ三常数¨¨填充层Ｉ勺金属化且迕线之问的空阳Ｊ外（ＩＭＤ）．还需耍使Ｈｊ低介电常数树｝４馓层问的隔离材辛斗（ＩＬＤ）。这些材抖必须满足以Ｆ业求：Ｒ、ｊ稳定，热稳定性４ｆ，抗水汽．粘荔力幔．ｆ【乇应／Ｊ，潮电流小．填先ｒ｛杆．弈易甲坦化。ｆｃＩ介ＬＵ常数十ｊ柯的热导卓也鞍ｆ匾，闪而；：！；响丁Ｊ｛三路所产生的热鲢的；Ｅ散。Ｉ｝｝ｒ热埴Ｉ－要通过和．占片币对的山向敞发．钾决６日题的一个方法起＆’个金属层内的金强ｑ迓线问的介质采川低介ｌＵ翥数介质，而隆层之间震ｌＨ介ｌＵ常挝较高的材料．

．总结

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