微电子器件可靠性动态跟踪

集成电路ESD方面的资料

微电子器件可靠性动态跟踪

黎想范焕章

华东师范大学电子系２０００６２

摘要：本文主要从栅氧化层、热载流子，金属化、静电放电四个方面来讨论亚微米器件的可靠性问题及发展动态．

微电子技术庄过去儿十年内发屣十分迅速．基水上每二年就产生新的一代ＤＲＡＭ。而｝ｉ这个述度预计将会延续。（见Ｆ表）

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随着器件尺寸不断减小．器件的可靠性问题也遭遇到巨大挑战．以Ｆ将主要从栅氧化层、热载流子，金属化、静电放电四个方面来讨论亚微米器件的可靠性阀题及发展动态。

栅氧化层的可靠性问题

随着器什尺寸减小，棚氧化层也住不断交薄。举例来说。ＧＢ级ＤＲＡＭ的栅氧化层只有大约１０个Ｓｉ一０层。这缱得超薄栅氧化层的可靠陆问题对今后微电子｜艺发展具有重要意义。

ＭＯＳＦＥＴ按比例缩小，理论上可通过按一定比例地减小儿何尺寸和］一作电压ＶＤＤ，使栅氧化层中的电场强度保持为常数。但是由ｒ速度要求及标准化等冈素．有时ｌ作电压不能随ｆｅ寸等比例减小．这直接导至Ｚ了从ｌＭｂｊｌ剑６４ＭｂｉｔＤＲＡＭ的栅氧化层电场逐步增强．弛蚓ｌ。由ｒ器¨尺寸的减小使单位面积内的器“：数革增

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