125x125单晶硅片 规格说明书

125x125单晶硅片 规格说明书

6 inch Mono-crystalline Wafer specification 类别 项目 (Sort) (Item)

Crystal Type晶体类型 Square side 尺寸

规格尺Diameter ( Diagonal) 直径 寸

Thickness Spec. 厚度 Square Angle 边缘角度 Growth method 晶体生长方 式

Conductivity Type 导电类 型

Surface orientation 晶向 电学性Etching pit/位错密度 能

Resistivity 电阻率 参数 Lifetime 少子寿命 Oxygen content 氧含量

Carbon content 碳含量

Saw mark 刀痕

Edge defect (Depth) 崩边 深度

外观质

Edge defect ( Length) 崩量

边长度

指标 TTV (5point) Warp. 弯曲度 Surface Quality 表面质量坑

指标/参数/要求

单位 Index/Parameter/Request（Uni t）

Mono-crystalline 125*125 ± 0.4 mm 165 ± 0.4 mm 190 ±10 μm 90°± 0.3degre

e

CZ

P-type/Boron ( 100 ) ± 1.0 ° ≤1000/cm3 1.0~3.0 Ω*㎝ ≥ 15.0 μs ≤1×1018

atoms

/cm3

≤5×1016

atoms

/cm3

≤ 20 μm ≤ 0.3 mm ≤ 1 mm ≤ 25 μm ≤ 30

μm

晶片无裂纹、孔洞和明显刀痕及凹

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