AM335X 内存配置

我用的是镁光的芯片，通过在官网查找丝印第二行的序列号D9LHR，查得芯片型号MT47H64M16HR-3:H 接下来我们通过Ti的文档来配置这个芯片,点击链接我们可以看到芯片的参数信息。

depth 64MB width x16 clock 333MHZ cycleTime 3ns CL=5

EMIF一般配置寄存器

?

SDRAM_CONFIG（0x4C000008 @） -在这个寄存器的值，将取决于很多内存配置，用于配置初始化时内存不足。它们最终被写入到存储装置的模式寄存器。这里有一些提示来配置每个值：

?

REG_SDRAM_TYPE - LPDDR1（mDDR的）= 1，DDR2=2，DDR3 = 3

REG_IBANK_POS -该寄存器设置bank内部的位置。请参阅“地址映射”部分TRM更多信息。这通常是留在bank允许的最大数量是开放的，允许它们之间的交错。

REG_DDR_TERM - DDR2和DDR3终止电阻值。请参见TRM正确的价值观。设置终止内存方面期间为ODT（在模具Termaination上）。参考ODT节以获取更多信息。

REG_DDR2_DDQS - DDR2差分DQS启用。设置为0时，使用单端DQS LPDDR（mDDR的）。差分DQS使用DDR2/DDR3时设置为1。

?

?

?

? ? ?

REG_DYN_ODT -这些位仅在DDR3模式。 REG_DDR_DISABLE_DLL -设置为0正常运行

REG_SDRAM_DRIVE - SDRAM驱动强度。LPDDR1，你通常会设置为1半驱动强度。与LPDDR有些主板可能需要全驱动强度取决于电路板尺寸和跟踪阻抗。在DDR2方面，完整的驱动强度设置为0。 REG_CWL - CAS写入延迟。这些位仅在DDR3模式下使用（对于其他类型的设备，这可以被设置为0）。此字段的值定义访问连接的DDR3器件时要使用CAS写入延迟。使用最佳的性能支持的最低值。此值应该直接从DDR3表。通常情况下，有速度斌取决于您所选择的设备上表中的数据表。每个表有几个不同的基于TCK CWL值。AM335x，选择最大3.3ns（303MHz），并选择CWL与这个频率。请注意TRM值映射关系：

? ? ?

?

CAS写延迟5：设置REG_CWL = 0 CAS写延迟6：设置REG_CWL = 1 CAS写延迟7：设置REG_CWL = 2

? ? CAS写入延迟8：设置REG_CWL的= 3 - AM335x REG_NARROW_MODE只支持16位数据总线，因此必须总是被设置为1为16位模式。 REG_CL - CAS延迟时间。此字段的值定义访问连接的SDRAM器件时要使用CAS延迟。这个值应该直接从DDR的数据表。一定要使用CAS延迟时间定义为时钟频率的DDR。请参见TRM正确的值 CL=5。

? REG_ROWSIZE -此字段仅用于当reg_ibank_pos SDRAM的配置寄存器中的字段被设置为1，2，或3，或当reg_ebank_pos = 1。应设置为在DDR数据表中定义的行地址位的数量。 ＃行位 REG_ROWSIZE值 9 0 10 1 11 2 12 3 13 4 14 5 15 6 16 7 ? ? ? REG_IBANK -bank内部设置。定义内多个bank连接的SDRAM器件。设置为0,1个bank，设置为1，2个bank，设置为2，4个bank。设置为3，8个bank。所有其他值被保留。请参阅内存数据表的bank数量。大多数存储器将使用8个BANK ? REG_EBANK -外部片选设置。定义SDRAM的访问是否会使用1或2个片选线。由于AM335x只有一个CS，始终设置该位为0。 REG_PAGESIZE -页面大小。定义连接的SDRAM器件的内部页面大小。应设置为在DDR数据表中定义的列地址位的数量。 ＃列地址位 REG_PAGESIZE值 8（256字页） 0 9（512字页） 1 10（1024字页） 2 11（2048字页） 3 ?

DDR PHY控制寄存器 ?

?

DDR_PHY_CTRL_1（0x4C0000E4 @）

REG_PHY_ENABLE_DYNAMIC_PWRDN -

? ?

REG_PHY_RST_N -设置为0的正常操作。

REG_PHY_IDLE_LOCAL_ODT -此值定义的AM335x侧终止，在空闲模式下（即，时REG_PHY_ENABLE_DYNAMIC_PWRDN断言）。通常情况下，你可以设置为00在空闲状态，以节省电力。

REG_PHY_WR_LOCAL_ODT -此值定义在写入的AM335x侧终止。终端通常是不需要的写入，所以这个值应该被设置为0。 REG_PHY_RD_LOCAL_ODT -此值在读期间定义的AM335x侧终止。使用以下值：

? ? ? ?

?

?

00：ODT关闭 01 ODT关闭 10：满负荷戴维南 11：半戴维南负载

?

REG_READ_LATENCY -此值占的往返延迟的器件和电路板。作为最低要求，它必须被设置到CAS的延迟加2。请注意，这是一个减1的寄存器，所以写入到寄存器的实际值应该是任何写入SDRAM_CONFIG.REG_CL加1。

?

例如：如果SDRAM_CONFIG.REG_CL的= 4，对应于4

的CAS等待时间（从DDR数据表获得）

然后设置REG_READ_LATENCY = 5，这对应于（CAS延时加2）的读延迟。

DDR PHY寄存器 （@ 0x44E12000 - 0x44E123FF）

有许多DDR PHY寄存器允许最大的灵活性，在配置的PHY为许多不同的模式和时序情景。每个DDR型有不同的程序，确定这些值。请参阅下面的部分DDR型。这些寄存器参考TRM解释这些寄存器。 注：由于设备中的错误，无法读取。他们是只写寄存器。

DDR PHY寄存器DDR2和LPDDR（mDDR的） 下面列出了需要配置的DDR PHY寄存器概要。未列出的所有其他的DDR PHY寄存器可以留在他们的默认状态。对于CMDX，x为0,1,2，如上所述。所DATAX，x为0或1，如上文所述。在所有情况下，程序每次迭代宏相同的值。

?

CMDx_PHY_INVERT_CLKOUT - 除了这些寄存器进行编程定义见下文，请将这个值到电子表格中得到适当的其他寄存器的值0或1

? ?

如果（DDR_CK长度）<（DDR_DQS长度），程序这些寄存器1 如果（DDR_CK长度）>（DDR_DQS长度），这些程序寄存器0

? ? ? ? ?

DATAx_PHY_RD_DQS_SLAVE_RATIO - 使用比例的的种子电子表格，以确定这些寄存器的值

DATAx_PHY_FIFO_WE_SLAVE_RATIO - 使用比例的的种子电子表格，以确定这些寄存器的值

DATAx_PHY_WR_DQS_SLAVE_RATIO - 使用比例的的种子电子表格，以确定这些寄存器的值

DATAx_PHY_WR_DATA_SLAVE_RATIO - 使用比例的的种子电子表格，以确定这些寄存器的值

CMDx_PHY_CTRL_SLAVE_RATIO - 使用比例的的种子电子表格，以确定这些寄存器的值

使用比率种子电子表格DDR2和LPDDR

比的种子电子表格

要使用DDR2和LPDDR比率种子电子表格，选择“DDR2”或“mDDR的'标签底部的电子表格。最大的DDR频率将被用于输入，输入0或1

PHY_INVERT_CLKOUT如上所述，然后每个跟踪输入的走线长度（英寸）。此跟踪对于DDR_CLK，通常是在一个“T”设计与配置为两个x8的回忆。确保您输入的走线长度AM335x每个内存。这些长度应接近相等，如果符合正确的设计指导方针。输入正确的信息后，寄存器的值将被自动计算在电子表格中。 控制模块寄存器 有些DDR配置包括了DDR控制器和DDR PHY模块之外的控制模块寄存器。这里是一个总结自己的配置。

?

?

DDR_IO_CTRL（@ 0x44E10E04） - DDR I / O的控制I / O模式。

MDDR_SEL -这使在CMOS模式（为LPDDR操作，设置为1）或STL模式（为DDR2/DDR3操作，设置为0的I / O）

? VTP_CTRL（@ 0x44E10E0C） -的解除武装，复员和重返社会的I / O控制在VTP（电压温度进程）补偿。VTP校准后应该发生的DDR PLL设置，但在此之前任何其他DDR控制器或执行DDR PHY配置。VTP校准应在加电时，每一次被重新初始化DDR控制器。下面是VTP校准的步骤来执行：

? ? ? ? ?

? ? ?

设置启用1启用VTP

将清除CLRZ为0，以清除出触发器，并开始重新计数 将设置CLRZ 1完成切换CLRZ

检查VTP就绪位的。如果为1，该训练序列完成

控制各种VREF_CTRL（@ 0x44E10E14） -参数VREF

DDR_VREF_CCAP - DDR_VREF_TAP - DDR_VREF_EN -

?

?

DDR_CKE_CTRL（0x44E1131C）

DDR_CKE_CTRL -正常操作，设置该位为1，允许CKE信号从PHY控制。

这些寄存器控制参数的宏命令和数据的I / O缓冲器。请参阅的TRM，以确定每个寄存器组信号的影响。对于编程的目的，每一个这些寄存器应被设置为相同的值。

DDR_CMD0_IOCTRL（0x44E11404） -设置为0x18B ? DDR_CMD1_IOCTRL（0x44E11408） -设置为0x18B ? DDR_CMD2_IOCTRL（@ 0x44E1140C） -设置为0x18B ? DDR_DATA0_IOCTRL（0x44E11440） -设置为0x18B ? DDR_DATA1_IOCTRL（0x44E11444） -设置为0x18B AC时序寄存器

? ?

SDRAM_TIM_1，SDRAM_TIM_2 SDRAM_TIM_3

这个电子表格将帮助您确定最佳的AC定时寄存器的值。确保你基于您正在使用的内存（mDDR的，DDR2，DDR3）在电子表格中选择正确的选项卡：

AM335x的DDR计算工具（链接）

黄色的值根据你的内存在数据表上的值，需要改变。请确保您输入您的设备的速度等级的正确值。TCK值应该代表的速度，您将运行的设备（不一定在数据表中的最低值）。AM335x AC定时寄存器的寄存器的值将被计算基于这些输入。对于较为保守的值，你可以使用+1非最优值的情况下，你怀疑的计时问题（看到这些，你可以取消隐藏行）。最终，最佳值应该工作。 设置刷新率 ?

SDRAM_REF_CTRL（0x4C000010 @） -要设置刷新频率，周期刷新间隔tREFI从内存中的数据表。请注意，这的值是typcially在我们的范围内。有些技术资料可参阅“刷新间隔时间在毫秒范围内（64ms的，例如），但是，此值必须要除以刷新周期的数目（一般为8000）。

? ?

REG_REFRESH_RATE -需要引起7.8我们或15.7我们用适当的SDRAM的刷新间隔的时钟周期数。此字段是不是可写字节，也就是说，这个领域需要的全部16位同时被写入。下面是一些例子：

对于303 MHz内存系统7.8us刷新速率：303 * 7.8us = 2363.4 或0x93B

对于266 MHz内存系统7.8us刷新速率：266 * 7.8us = 2074.8 或0x81A

?

?

百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，免费范文网，提供经典小说综合文库AM335X 内存配置在线全文阅读。