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《模拟电子技术基础》复习资料201512 - 图文

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模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 曾庆科

《模拟电子技术》复习题

一、填空题

1. 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 、 、 ;其电阻率分别

受 、 、 的增加而 。

2. 用于制造半导体器件的材料通常是 、 和砷化镓。

3. 当外界温度、光照等变化时,半导体材料的 能力会发生很大的变化。 4. 纯净的、不含杂质的半导体,称为 。

5. 在N型半导体中如果掺入足够量的 价元素,可将其改型为P型半导体。 6. 本征半导体中掺入 族元素,例如 ,得到P型半导体。 7. 杂质半导体分 和 两大类。

8. N型半导体多数载流子是 ,少数载流子是 。P型半导体多数载流子

是 ,少数载流子是 。

9. 杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于 ,而少数载流子则与?? ???有很大关系。 10. PN结的主要特性是 。

11. PN结是多数载流子的 运动和少数载流子的 运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为 或 。

12. PN结加正向电压时,空间电荷区变 ;PN结加反向电压时,空间电荷区变 。 13. PN结在无光照、无外加电压时,结电流为 。

14. PN结两端电压变化时,会引起PN结内电荷的变化,这说明PN结存在 。 15. 二极管是由 个PN结构成,因而它同样具有PN结的 特性。

16. 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述,其数学式是 ,其曲线又可分三部

分: 、 、 。

17. 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 ,稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 ,击穿区的交流电阻又比正向区的 。

18. 有两个晶体三极管A管的?=200,ICEO=200?A;B管的?=50,ICEO=10?A,其他参数大致相同,相比

之下 管的性能较好。

19. 点接触二极管的主要优点是 小,多用于 。

20. 稳压管实质上是一个二极管,它通常工作在 ,所以当 大于稳定电压UZ时,

它才能产生稳压作用。

21. 双极型三极管有 种极性的载流子参与导电;场效应管有 种极性的载流子参与导

电。

22. 三极管个电极电流的分配关系是IE= 。

23. 三极管有? ?型和?? ??型,前者在电路中使用的符号是??????,后者在电路中使用的符

号是????????。

24. 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是:发射区需 掺杂,基区宽度要 ;外部条件是:发射结要 偏置,集电结要 偏置。 25. 处于放大状态的三极管IC与IB的关系是? ?;处于饱和状态的三极管IC不受IB的控制, ?

了放大作用;处在截止状态的三极管IC? ??。 26. 当NPN锗管工作在放大区时,在E、B、C三个电极中,以 电位最高,? ?的电位最低;

UBEQ约等于 。

27. 当PNP型硅三极管处于放大状态时,在E、B、C三个电极中,以? ?极电位最高,? ?

极的电位最低。

28. 三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而? ??,穿透电流ICEO随温度升高而?? ??,

UBE随温度的升高而?? ??,?值随温度的升高而? ???。

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模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 曾庆科

29. 三极管的三个主要极限参数是?? ??、???? ???和? ????。 30. 三极管有三个电极,分别是 、 和 。

31. 用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为VB=+10.7V, VC=+10.3V,

VE=+10V,则该管工作在? ?区。

32. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V,则

从材料看为 管,从结构上看为 型管,且A为??? 极,B为 极,C为 极。

33. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V,则

从材料看为 管,从结构上看为??? 型管,且A为 ??? 极,B为 极,C为 极。 34. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V,则

从材料看为 管,从结构上看为 ??? 型管,且A为 ??? 极,B为 ??? 极,C为 ??? 极。 35. 在放大状态下,三极管的1,2,3三个电极的电流分别为I1=1.5mA,I2=30?A,I3=1.53mA,则电极 为集电极,电极 ? 为基极,电极 ?? 为发射极。?= ?? ,?= ??? 。

36. 从输出特性上分析单级PNP管组成的放大电路,如果静态工作点在负载线上设置偏高,有可能导致

?????? 失真,从示波器上看输出电压波形是??? 失真;工作点设置偏低,则有可能导致??? 失真。

37. 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的??? 量,而放大电路设置静态工作点的目的是为了

??? 。

38. 如图一(a)是NPN管共射放大电路。若其输出波形如图一(b)、(c)所示,则图一(b)是??? 失真,解决办法是将基极偏置电流调??? ;图一(c)是??? 失真,解决办法是将基极偏置电阻调??? 。

+UCC UO UO RC Rb UO

0 0 RL t t Ui

(b) (c) (a) 图一

39. 放大电路有两种工作状态,Ui=0时的直流状态称为??? 态;当有交流信号Ui输入时,放大电路

的工作状态称为??? 态,此时,三极管各极电压、电流均有??? 分量和???? 分量两部分叠加而成。

40. 在画低频放大电路的交流通路时,通常将电路中的??? 和??? 视为短路。 41. 交流放大电路的基本分析方法有??? 和??? ?两种。

42. 对于电压放大电路,输入电阻越??? ,就越能从前级信号源获得较大的电信号;输出电阻越??? ,放大电路带负载的能力越强。

43. 影响放大电路工作点稳定的主要因素是??? 的变化,稳定工作点常用的措施是在电路中引入

??? 。

44. 在单级共射放大电路中,如果静态工作点在负载线上设置偏高,容易出现??? 失真,常通过调整??? 元件来消除失真。

45. 在单级共射放大电路中,无论是NPN型还是PNP型晶体三极管,当静态工作点在负载线上设置偏高

时,容易出现??? 失真,过低时容易产生??? 失真。若采用基极上偏置电阻Rb来消除失真,对于前者应使Rb??? ,对于后者应使Rb??? 。

46. 反映双极型晶体三极管(BJT管)放大能力的参数是??? ,反映场效应管(FET管)放大能力的

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参数是??? 。

BJT管是??? 控制器件,而FET管则是??? 控制器件。

当BJT管发射结正偏,集电结反偏时,放大电路工作在??? 区;当BJT管发射结和集电结均正偏时,放大电路工作在??? 区;当BJT管发射结和集电结均反偏时,放大电路工作在??? 区。 双极型晶体三极管放大电路有??? 、??? 和??? 三种接法,其中电压、电流放大倍数都比较大的是??? 接法。所谓共射放大电路,是指在电路的交流通路中,以???? 极作为输入输出信号的共同参考点。 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中,??? 放大电路既有电压放大,又有电流放大;?????? 放大电路只有电流放大,而无电压放大;??? 放大电路只有电压放大,而无电流放大。

在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中,欲要带负载能力强的应选??? ?? 电路;欲要电压放大且频率响应好的应选 电路。

共集电极电路的特点是:输入电阻??? ,输出电阻??? ,电压放大倍数 ??? ,动态范围??? 。

在共射、共基和共集三种组态的放大电路中,??? 放大电路的输入电阻最高;???? ??放大电路的输出电阻最低。

在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中,??? 电路输入输出电压同相, ??? 电路输入输出电压反相。 在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中,当待处理的信号是电流时,可采用 放大电路,利用的是该电路的 的特点。 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较,存在着三个主要特殊问题是:??? 、 ??? 和??? 。

直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 ??? ??? ,因此,集成运放的第一级通常采用 ??? ??? 。

零点漂移一般都是折合到??? 端来衡量的。若Au=1000,输出端最大漂移为50mV,则该放大电路的漂移为 ??? 。

多级放大器的耦合方式有:直接耦合、 ??? 和 ??? 三种。

多级交流放大电路的极间耦合方式有???? ?、???? 和 ??? 三种,在低频电压放大电路中常采用??? 耦合方式,??? 耦合电路存在零点漂移问题。

在如图二所示的电路中,VT1、VT2组成两级???? ?耦合放大电路。其中VT1管组成???? ?电路,VT2管组成???? ??电路,又称???? ?电路;电路中C1、C3、C4称为???? ?电容,其作用是???? ?,C2称为???? ?电容,其作用是????? ??。

R1C1+UiR2R4R3C3VT1R5+VccVT2C4C2图二 R6RL+Uo--

62. 多级放大电路中,第一级电压增益为40dB,第二级电压增益为20dB,则总电压增益为??? ,折算为电压放大倍数为??? 倍。

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63. 多级放大电路中,第一级电压放大倍数为100倍,第二级电压放大倍数为1000倍,则总电压放大倍

数为??? 倍,折算为电压增益为??? dB。

64. 一般而言,多级放大电路的输入电阻等于??? ;输出电阻等于??? 。

65. 场效应管从结构上可分为??? 和??? 两大类;从其导电沟道上可分为??? 沟道和??? 沟

道两大类。

66. 场效应管放大电路中,其输入电阻??? ,故栅流IG???? 。

67. 在晶体三极管放大电路中,当f=f?时,???值为?0(低频时的数值)的??? 倍;当f=fT时,???值为

??? ,fT称为 ??? ,f?称为 ??? 。

68. 为了使输出电流稳定,应引入???? ?反馈,其输出电阻将???? ?。 69. 为了使输出电压稳定,应引入????? ?反馈,其输出电阻将????? ?。

70. 若希望负载变化时,放大器的输出电压稳定,应引入 ??? 反馈,此时输出电阻将 ??? 。 71. 为了使放大器的输入电阻提高,应引入???? ?反馈。 72. 为了使放大器的静态工作点稳定,应引入???? ?反馈。 73. 若要减小放大器从信号源索取电流,应引入??? ?反馈。 74. 若要提高放大器的带负载能力,应引入??? ?反馈。

75. 若信号源的内阻大,应引入???? ????反馈,效果才显著。 76. 交流串联负反馈只有信号源内阻 较小 时,效果才显著。

77. 电路引入负反馈可以改善放大电路的性能,如??? ?、??? ?、???? 、???? ?等等。 78. 某放大器无反馈时,输入信号为20mV,输出电压为10V。而引入负反馈后,欲使输出电压不变,则

输入信号应增大为200mV,故所引入的反馈深度为??? ?。

79. 在低频功率放大器中,集电极电流的导通角?= ?? 为甲类;导通角?= ??? 为乙类;??????

80. 乙类互补推挽功率放大电路存在??? 失真,为克服它,应使它工作在 ??? 工作状态。 81. 一个交流输出功率Po=20W的乙类互补推挽功率放大电路,应选每只晶体三极管集电极最大允许功耗

PCM至少为??? W。对于UCC=?24V的OCL功放,每管的耐压U(BR)CEO???? V。 82. 复合管在功放电路中的作用是 ??? 。

83. 对功率放大电路的基本要求是能够向负载提供足够大的输出功率,有较高的???? ?和较小的

??? 。

84. 对于互补对称功率放大电路,两边的三极管(均是单管)要求它们的导电类型 ??? ,各个参数

??? 。

85. 已知差分放大电路的两个输入电压uI1=20mV,uI2=14mV,则其差模输入电压uId= ??? mV,共模输

入电压uIC=??? mV;当输入电压uI1=uI2=20mV时,其差模输入电压uId= ??? mV,共模输入电压uIC= ??? mV;当输入电压uI1=-uI2=20mV时,其差模输入电压uId= ??? mV,共模输入电压uIC=??? mV。

86. 差分放大电路的差模输入信号是指两管输入端的信号具有 ??? 的特点;共模输入信号是指两管

输入端的信号具有 ??? 的特点。

87. 差分放大电路的差模放大倍数比共模放大倍数要 ??? ;双端输出形式的共模抑制比比单端输出

形式要??? ;双端输出形式的输出电阻比单端输出形式的输出电阻要 ??? ;双端输入形式的输入电阻和单端输入形式的输入电阻 ??? 。

88. 长尾式差分放大电路中的射极公共电阻Re对差模信号可视为 ??? ;而对共模信号具有??????

作用。

89. 集成运放的第一级通常采用??? 电路,主要是为了减小??? ,提高 ??? 。 90. 有源负载在集成运放的中间级中所起的作用是 ??? 。

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91. 理想集成运放的开环电压放大倍数=??? ;差模输入电阻= ??? ;输出电阻= ??? ;共模抑制比KCMR=??? ;-3dB带宽fh= ??? 。

92. 理想运放在线性区工作时,其两输入端的电位(u+,u-)??? ,电流(i+,i-) ??? 。 93. 集成运放的“虚短”概念是指 ??? ;“虚断”的概念是指 ??? ;“虚地”的概念是指

??? 。

94. 在基本积分电路和微分电路中,反馈支路应分别接入??? 和??? ??? 元件。

95. 用理想运放组成的放大器,应工作在 ??? 状态;而电压比较器则应工作在 ??? 状态,所以电压比较器的输出只有??? 和??? 两种电平。

96. 由集成运放组成的方波发生器,它是由??? 和 ??? 组成的。

97. 线性稳压电源(即串联型稳压电源)包括??? 、??? 、 ??? 和??? 四个部分。 98. 设电源变压器次级电压有效值为U2,则桥式整流电容滤波电路的输出电压Uo= ??? ;当电容因

故开路,仅有负载RL时,输出电压Uo=??? ;当电容滤波电路的负载RL开路时,输出电压Uo=??? ;若桥式整流电路的四个整流二极管中有一个被开路(损坏),而且电容也因故开路,仅有负载RL时,则输出电压Uo= ??? 。 二、单项选择题

1. 本征激发体现了半导体的( )特性。D

A. 光敏性 B. 热敏性 C. 掺杂性 D. A和B 2. 在室温下,本征半导体中的载流子数目( )。D A. 很多 B. 较多 C. 较少 D. 极少

3. 在本征半导体中,本征激发产生的载流子是( )。D A. 自由电子 B. 空穴 C. 正负离子 D. A和B 4. 在热力学零度时,本征半导体相当于( )。C

A. 导体 B. 超导体 C. 绝缘体 D. 半导体 5. 在( )中掺入适量的杂质元素称为杂质半导体。 C

A. P型半导体 B. N型半导体 C. 本征半导体 D. 半导体 6. 在杂质半导体中,少数载流子的浓度与( )有关。 D

A. 电子 B. 空穴 C. 掺杂浓度 D. 温度 7. 杂质半导体体现了半导体的( )特性。C

A. 光敏性 B. 热敏性 C. 掺杂性 D. 导电性 8. 当PN结外加反向电压时,耗尽层( )。 B

A. 变窄 B. 变宽 C. 不变 D.无法确定

9. P型半导体的少数载流子是( )B

A. 空穴 B. 电子 C. 正离子 D. 负离子 10. PN结加正向电压时,扩散电流( )漂移电流。A

A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不能确定 11. PN结加反向电压时,其阻挡层将( )。A

A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 不能确定

12. 对于不对称的PN结,如P+N结,其耗尽区主要伸向( )。B

A P+区 B N区 C P+和N区相同 D 不能确定 13. 在N型半导体内掺入足够的三价元素,可以将其改型为( )。 A A. P型半导体 B. N型半导体 C. 本征半导体 D. 导体 14. 理想二极管在正偏和反偏时,二极管分别相当于( ) B

A. 开路,短路 B. 短路,开路 C. 短路,短路 D. 开路,开路 15. PN结伏安特性方程式中的UT在常温(T=300K)时的值约为( )。 B

A. 2.6mV B. 26mV C. 2.6V D. 26V

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