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Si4463芯片使用小结(2)

来源:网络收集 时间:2019-04-09 下载这篇文档 手机版
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图中标注的几处为必须配置的参数,具体参数芯片数据手册。

2、RF参数

接收端的调制方式、速率、频偏以及带宽必须与发射端匹配,否则无法接收

3、数据包参数

数据包主要有引导码、同步字、数据域以及CRC构成,每项都可选可去,为保证数据可靠接收,同时减少不必要的数据接收,引导码和同步字就十分必要,这两部分中的内容可以自由配置,此处就不细述,具体可参见芯片数据手册以及WDS使用指南。数据域有几种模式,可单域也可多域,一般选用变长发送模式时采用双域,前一域帧长,后一域数据。CRC模式也可采用分域校验和整体校验,一般选用整体,最后两个直接为CRC结果校验由硬件完成,校验通过标志可通过配置设定在这两个直接中任意直接的高位或低位。

4、中断配置

芯片有一个中断引脚,可对应3个中断寄存器,共计22中不同中断状态。在正常发送、接收中一般只用以下3个中断:发送完成、接收、CRC异常,其余中断对应的具体说明可参见芯片用户指导。

5、GPIO和快速寄存器配置

Si4463有4个GPIO引脚外加一个NIRQ和SDO引脚可进行自由配置,具体功能参见用户指导,一般会选用两个引脚作为射频开关的控制引脚,如下图:

快速寄存器主要用于快速读出芯片的某些状态或寄存器值,相对于直接操作普通寄存器,速度要更快,更节省MCU资源,具体配置可根据实际使用进行配置,如RSSI、芯片工作状态等都是比较常用的。

四、问题总结 1、发送功率与功耗

Si4463的发送功率可调,功率越大功耗自然越大,尤其是超过15dBm后发射功率每增加一点,功耗会增加很多,下图是理论参数(横坐标是电流):

实际使用中发现模块功率很难达到20dBm,经过测试排查,发现发射功率受供电电压影响也较大,下图是最大发射功率与供电电压之间的关系:

这也就是造成我们传感器电源波动测试中发射功率不足的主要原因。

2、发射死机问题

2.1现象

无线模块(加天线)在以20dBm发送时出现发送失败现象,程序死在等待发送完成处,接收端无法收到数据;

去除天线,以任何功率、速率都能成功发射; 降低发送功率,低于10dBm时也能正常发射;

模块选用的是32M晶振,程序配置成30M时能发射且不死(中心频率有一定偏移) 出现假死现象概率很高,最频繁时能达到每4~5个包就挂一次! 2.2、测试

1)不加天线20dBm发送时SPI波形

2)加天线时20dBm发射SPI波形(异常)

读取CTS时每次都回复 0x00。

2.3 问题分析

加上天线后射频芯片处于大功率工作状态,发送数据时采用查询方式进行扫描发送完成,及易导致射频芯片操作异常,尤其是还存在中断操作,故芯片死机概率较高。

2.4 解决方案:

方案一:整个程序中在写操作Si4463时不允许被中断(禁止中断),并且增加异常监测,连续发射异常或超时后需重新初始化射频芯片。此方案能够解决这以问题,但是对整个产品来说牺牲是很大的,禁止中断完全有可能导致各种异常,故不是最佳方案。

方案二:采用中断方式监测发送完成、接收等状态,产生相应中断后再读取状态,尽量避免持续操作射频芯片,但同时也需要增加芯片异常监测。实测该方案完全避免了模块死机问题,属于较为理想的方案。

3、其他

后续补充

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