模电(填空+选择+大题共224道)题目和答案

`0001 01A1

在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（ ）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（ ）。 `0002 01A1

在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（ ）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（ ）。 `0003 01A1

PN结的导电特性是 。 `0004 01A2

为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度 ；（2）集电结面积比发射结面积 。 `0005 02A1

夹断电压是（ ）型场效应管的参数，开启电压是（ ）型场效应管的参数。 `0006 02A1

场效应管有（ ）种载流子导电，场效应管是（ ）控制（ ）型器件。 `0007 02A1

共射放大电路中输出电压与输入电压相位 。 `0008 02A1

在放大电路中，晶体管通常工作在 工作区。 `0009 02A1

双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结 ，集电结 。 `0010 02A1

场效应管三个电极分别为 极、 极和 极。 `0011 02A1

在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性 。 `0012 02A2

在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性 。 `0013 02A2

场效应管放大电路有共 、共 和共 三种基本形式 。 `0014 02A2

场效应管从结构上可以分为（ ）和（ ）型两大类型 `0015 02A2

单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现 失真。 `0016 02A2

在电子线路中，一般用输出电阻RO来衡量放大器带负载的能力，RO越小，则带负载的能力 。 `0017 02A2

双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结 ，集电结 。 `0018 02A2

双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结 ，集电结 。 `0019 02A3

单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现 失真。 `0020 02A3

某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为 。 `0021 02A3

如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻 ；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻 。 `0022 03A1

设计一个输出功率为20W的推挽放大器，若用乙类OCL电路，则应选功放管的最大允许管耗Pcm必须大于（ ）W。 `0023 03A1

多级放大电路中常见的耦合方式有： ， ， ， 。 `0024 03A1

对差动放大电路来说，有用的或要放大的信号是 信号；无用的或需要抑制的信号是 信号。 `0025 03A1

大小相等、极性相反的信号称为 信号；大小相等、极性相同的信号称为 信号 `0026 03A2

乙类推挽功率放大器的（ ）较高，但这种电路会产生（ ）失真。为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在（ ）类状态。 `0027 03A2

在设计OTL功率放大器时，选择功率放大管时要特别注意PCM大于（ ），V（BR）CEO大于（ ）， ICM大于（ ）三个条件。 `0028 03A2

在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做 。 `0029 03A2

多级直流放大电路最主要的问题是 问题，解决的办法是采用 电路。 `0030 03A2

甲类放大电路功放管导通角等于 ；乙类放大电路功放管导通角等于 ；甲乙类放大电路功放管导通角为 。 `0031 03A3

正常时OCL功率放大器的中点电压应为（ ），OTL功率放大器的中点电压应为（ ）。 `0032 03A3

在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功放管导通角最小的是 类放大电路 `0033 03A3

电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 ，因为电流源的 很大。 `0034 04A1

- 1 -

理想运算放大器的开环电压增益为 ，输出电阻为 。 `0035 04A1

理想集成运放的主要性能指标：

Aod= ，rid= ；rod= 。 `0036 04A1 集成运算放大器的两个输入端：同相输入端和反相输入端。前者的极性与输出端 ，后者的极性同输出端 。 `0037 04A2

差动放大器KCMR越大，表明其对 信号的抑制能力越强。 `0038 04A2

为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。 `0039 04A3

直接耦合多级放大器既能放大 信号，也能放大 信号。 `0040 05A1

深度负反馈的条件是 。 `0041 05A2

为了稳定静态工作点，应该引入 负反馈。 `0042 05A2

某负反馈放大电路的开环电压放大倍数为75，反馈系数为0.04，则闭环放大倍数为 。 `0043 05A2

若引回的反馈信号削弱输入信号而使放大电路的放大倍数降低，这种反馈称为 反馈；若引回的反馈信号增强输入信号而使放大电路的放大倍数提高，这种反馈称为 反馈。 `0044 05A3

在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入 反馈；为了稳定输出电流，应引入 反馈；为了使输出电阻降低，应引入 反馈；为了使输入电阻提高，应引入 反馈。 `0045 05A3 已知某放大器的输入信号为2mV时，输出电压为2V。加上负反馈后，输出电压为2V，则输入信号需变为20mV。则该电路的反馈深度为 dB。 `0046 06A1 正弦波振荡器持续振荡的相位条件： 。 `0047 06A2

LC并联谐振回路在正弦波振荡电路中的主要作用是做 网络，组成正弦波振荡电路。 `0048 06A2

有源滤波器通常分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器，其缩写符号按顺序依次为 、 、 、 。 `0049 07A1 直流稳压电源由电源变压器、 、 和 组成。 `0050 07A2

在直流电源中，滤波的目的是滤除整流电路输出电压中的 成分。 `0051 01B1

常温下，硅二极管的开启电压约（ ）V，导通后在较大电流下的正向压降约( )V，锗二极管的开启电压约( )V，导通后在较大电流下的正向压降约( )V。

A.0.3 , 0.5 , 0.5 , 0.7 B.0.5，0.7，0.3，0.5 C.0.5，0.7，0.1，0.3 D.0.3，0.5，0.1，0.2

`0052 01B1

稳压管正常工作时工作在( )区。

A.正向导通 B.反向击穿 C.反向截止 D.饱和区

`0053 01B1

PN结加正向电压时，耗尽层将（ ）。 A变宽 B变窄 C不变 D不定

`0054 01B1

电路如图所示，假如锗管VD1的导通压降为U1=0.2V，硅管VD2的导通压降为U2=0.6V。流过VD1、VD2的电流I1和I2分别为（ ）和（ ）。

A. I1 =10mA, I2 =0mA B. I1 =0mA ， I2=10 mA C. I1=5 mA ， I2=5 mA D. 以上都不是

`0055 01B2

电路如图（a）（b）所示，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V，输出电压UO分别为( )和( )。

- 2 -

A. （a）5.7V（b）0.7V B. （a）5V（b）10V C. （a）5.7V（b）10V D. （a）5.0V（b）3.3V

`0056 01B2

在如图所示电路中，VDZ1、VDZ2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，输出电压UO为（ ）。

A.1V B. 6V C.7V D.0V

`0057 01B2

电路如图所示，设

us?15sin?tV，稳压管VDZ的稳定电压为8V，R为限流电阻，UO的波形为（ ）

A.正半周在8V处出现切峰的正弦波 B.正、负半周最大幅度均为15V的正弦波 C.正、负半周均在8V处出现切峰的正弦波 D.在+8V处出现切峰，负半周均为-0.7V

`0058 01B2

在如图所示电路中，整流二极管VD的反向击穿电压约为100V，额定功耗为250mW。外加130V反向电压，问该二极管反向电流最大会达到多少？之后二极管是否会损坏？

A.反向电流忽略不计，不会损坏 B.反向电流13mA，不会损坏 C.反向电流13mA，损坏 D.反向电流3mA，损坏

`0059 01B2

以下特性中，半导体不具有的是 。 A.掺杂特性 B.单向导电行 C.光敏特性 D.热敏特性 `0060 01B2

二极管正向导通时UD=0.7V。估算下图所示电路中，流过二极管的电流ID和A点的电位UA是（ ）。

A. UA=3.3V, ID=9.3 mA B. UA=3.3V , ID=0.033 mA

=0.53 mA D. U=-5.3V , I =1.3mA C. UA=-5.3V , IDAD

`0061 02B1

双极型晶体管工作在截止区的条件：发射结（ ），集电结（ ）。 A.反偏，正偏 B. 正偏 ，反偏 C. 反偏，反偏 D. 正偏，正偏

`0062 02B1

当晶体管工作在放大区时，下列说法正确的是（ ）。

- 3 -

A.发射结和集电结均反偏 B. 发射结和集电结均正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D发射结反偏，集电结正偏

`0063 02B1

当晶体管工作在饱和区时，下列说法正确的是( )。

A.发射结和集电结均反偏 B. 发射结和集电结均正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏

`0064 02B1

对于双极型晶体管，下列说法正确的是( )。

A.发射极和集电极可以调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度相同 B.发射极和集电极可以调换使用，因为发射极和集电极的电流基本相同

C.发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区高 D. 发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区低

`0065 02B1

晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ ）。

A. b--e b-- c间均正向偏置 B. b--e、b--c间均反偏 C. b--e间正偏、 b--c 反偏 D. b -- e间反偏b-- c正偏 `0066 02B1

在单管共射放大器中（ ）。

A iO与Vi反相; B VO与iO同相； C VO与Vi同相; D VO与Vi反相.

`0067 02B1

3DG6C晶体管的极限参数为PCM=100mw, ICM=16mA，U（BR）CEO=20V，在下列几种情况能正常工作的是：（ ）。 A UCE = 8V，IC = 15mA ; B UCE = 20V，IC = 15mA ; C UCE = 10V，IC = 8mA ; D UCE = 3V， IC = 25mA.

`0068 02B1

三极管三种组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是（ ） A共射电路 B共基电路 C共集电路 D不能确定

`0069 02B1

三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是（ ） A共射电路 B共基电路 C共集电路 D不能确定

~

`0070 02B2

双极型晶体管工作在放大区和饱和区的电流放大系数之间的关系为( )。 A.工作在饱和区的电流放大系数大于工作在放大区的电流放大系数 B. 工作在饱和区的电流放大系数等于工作在放大区的电流放大系数 C. 工作在饱和区的电流放大系数小于工作在放大区的电流放大系数

D. 工作在饱和区的电流放大系数与工作在放大区的电流放大系数的关系不能确定

`0071 02B2

对于双极型晶体管，下列叙述正确的是( )。

A.基区厚、掺杂浓度低 B. .基区厚、掺杂浓度高 C.基区薄、掺杂浓度高 D. .基区薄、掺杂浓度低

`0072 02B2

在放大电路中，测得双极型晶体管的3个电极的电位如图所示。管子的类型为( )；3个电极：①为( )；②为( )；③为( A. NPN;C,E,B B. PNP;C,E,B

C. NPN;B,E,C D. PNP;B,E,C

`0073 02B2

在放大电路中晶体管3个电极的电流如图所示。电极①、②、③分别为( )、( )、( )；?约为( )；管子类型为( )。

- 4 -

)。

A.C,E,B;40;PNP B.C,E,B;40;NPN C.B,E,C;50;PNP D.B,E,C;50;NPN `0074 02B2

二极管和晶体管均为硅管，判断图中各晶体管的工作状态。正确答案为（ ）。

A.VT1饱和、VT2饱和 B. VT1截止、VT2饱和 C. VT1截止、VT2放大 D. VT1放大、VT2放大 `0075 02B2

晶体管的极限参数PCM=150mW ，(BR)CEO=30V和ICM=100mA.若其工作电压UCE=10V，则工作电流不得超过（ ）mA；若UCE=1V，

u则工作电流不得超过（ ）mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压不得超过（ ）V。 A. 15；100；150 B. 15；150；150 C. 15；150；30 D. 15；100；30

`0076 02B2

某晶体管的PCM=100mW ，(BR)CEO=15V和ICM=20mA.若要工作在放大状态，在下列几种情况下，哪种可能是正常工作：（ ）

uA. UCE=15V，IC=10mA B. UCE=2V，IC=40mA C. UCE=6V，IC=20mA D. UCE=8V，IC=10mA `0077 02B2

当温度升高时，晶体管的电流放大系数?和反向饱和电流ICEO（ ），发射结正向压降UBE（ ）；共射输入特性曲线将（ ）；输出特性曲线将（ ）；输出特性曲线之间的间隔将（ ）。

A. 变大，变小，左移；上移；增大 B. 变大，变大，右移；上移；增大 C. 变大，变小，左移；下移；增大 D. 变小，变大，右移；上移；增大

`0078 02B2

改变双极型晶体管共射基本放大电路的集电极电阻RC和电源电压VCC，下列说法正确的是（ ）。 A.只改变直流负载线的斜率 B.改变直流负载线与两坐标轴的交点，但不改变直流负载线的斜率 C.改变直流负载线与两坐标轴的交点和直流负载线的斜率 D.无任何影响

`0079 02B2

在双极型晶体管共射基本放大电路中，当?一定时，在一定范围内增大IE，放大电路的电压放大倍数将（ ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定

`0080 02B2

在双极型晶体管共射基本放大电路中，适当增大RC，电压放大倍数（ ），输出电阻（ ）。 A.变大，变大 B.变大，不变 C.变小，变大 D.变小，变小

`0081 02B2

共射基本放大电路，温度升高时，基极电流IBQ将（ ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定

`0082 02B2

电压源电路的输出电阻越（ ），其稳压特性越好；电流源电路的输出电阻越（ ），其稳定性越好。 A.大；大 B.小；大 C.小；小 D.大；小

`0083 02B3

有两个电压放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路甲和乙，对同一个具有内阻信号源的电压进行放大。在负载开路的条件下测

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