值，即 URM=1.414U2，根据上面的选择原则可知选择二极管的最大整流电流I≧(1.1I0)/2≈0.5(U2/R);最大反向电压UR≧1.12U2=1.12×55=37.34V。
滤波电容的选择：C=(5T/2)/RL。
图1.5 整流电路仿真结果电路图
2.2 buck斩波电路
降压斩波电路图如下图所示，仿真时电路如下（以24V直流电源代替整流电源，以脉冲发生器代替驱动电路和控制电路）：
图2.1 降压斩波电路原理图
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图2.2 降压斩波电路仿真结果图
2.3、 控制电路
TL494的内部电路(如图3.1)由基准电压产生电路、振荡电路、间歇期调整电路、两个误差放大器、脉宽调制比较器以及输出电路等组成。
图3.1 TL494内部电路图
其中1、2脚是误差放大器1的同相和反相输入端；3脚是相位校正和增益
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控制；4脚为间歇期调理，其上加0～3．3V电压时可使截止时间从2％变化到100％。5、6脚分别用于外接振荡电阻RT和振荡电容CT，以确定振荡器产生锯齿波的频率
fosc
；
fosc?1.1RT?CT
式中，RT和CT的取值范围：RT=5～100kQ，CT=0.001～0.1uF。7脚为接地端；8、9脚和11、10脚分别为TL494内部两个末级输出三极管集电极和发射极；12脚为电源供电端；13脚为输出控制端，该脚接地时为并联单端输出方式，接14脚时为推挽输出方式；14脚为5V基准电压输出端，最大输出电流10 mA)；15、16脚是误差放大器2的反相和同相输入端。 TL494脉宽调制控制电路见下：
图3.2 TL494脉宽调制控制电路
2.4、 驱动电路
如图4.1所示，Power MOSFET降压斩波电路的驱动电路提供电气隔离环节。一般电气隔离采用光隔离或磁隔离。光隔离一般采用光耦合器，光耦合器由发光二极管和光敏晶体管组成，封装在一个外壳内。本电路中采用的隔离方法是，先加一级光耦隔离，再加一级推挽电路进行放大。采用的光耦是TLP521-1。为得到最佳的波形，在调试的过程中对光耦两端的电阻要进行合理的搭配。
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图4.1 光耦驱动电路
驱动电路的multisim仿真电路及其结果如下：
图4.2 驱动电路仿真图
原理：控制电路所输出的信号通过TLP521-1光耦合器实现电气隔离，再经过推挽电路进行放大，从而把输出的控制信号放大
其工作原理：当控制端的电压信号u为高电平时，光电耦合器导通，晶体管VT1、VT2导通。VT1导通使得VT3导通，VT2导通使得VT4截止，+Ucc经VT3与Rg向IGBT栅极提供驱动电流，使得IGBT导通。通常+Ucc为+15V，使得IGBT处于饱和导通状态。
当控制端的电压信号u为低电平时，光电耦合器不导通，晶体管VT1、VT2均截止。VT1截止使得VT3截止，VT2截止使得VT4导通，-Ucc经VT4与Rg向IGBT栅极提供反向驱动电流，使得IGBT截止。一般取-Ucc为-5到-10V。由于IGBT截止时，门极处于反向偏置状态，所以具有较强的抗干扰能力。在电路输出级采用互补式的电路可降低驱动器的内阻，并加速IGBT的关断过程。
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2.5 过压保护电路
过压保护要根据电路中过压产生的不同部位，加入不同的保护电路，当达到—定电压值时，自动开通保护电路，所以可分为主电路器件保护和负载保护。
2.5.1 主电路器件保护
当达到—定电压值时，自动开通保护电路，使过压通过保护电路形成通路，消耗过压储存的电磁能量，从而使过压的能量不会加到主开关器件上，保护了电力电子器件。
为了达到保护效果，可以使用阻容保护电路来实现。将电容并联在回路中，当电路中出现电压尖峰电压时，电容两端电压不能突变的特性，可以有效地抑制电路中的过压。与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量，同时抑制电路中的电感与电容产生振荡，过电压保护电路如图6.1所示。
图5.1 RC阻容过电压保护电路图
2.5.2 负载过压保护
如图6.2所示 比较器同相端接到负载端，反相端接到一个基准电压上，输出端接控制芯片10端，当负载端电压达到一定的值，比较器输出Uom抬高10端电位，从而使10端上的信号为高电平时，PWM琐存器将立即动作，禁止SG3525的输出，同时，软启动电容将开始放电。如果该高电平持续，软启动电容将充分放电，直到关断信号结束，才重新进入软启动过程，从而实现过压保护。
电阻的取值，比较器反相端接5.1V电源经变位器后为可调基准电压，比较器同相端电压应在5V以内，取负载输出电压最大值80V来算R20/R18=80/3左右 ，所以R20=100K，R18=4K，R17=10k，R19=2k。
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