Yi?ci?c1?(U0)1?(U)(Y)1?c202(Y)2? （6.6-12）
U02?U01? 下面我们讨论溅射对合金表面组分的影响。假定且表面的原子密度为N，且在溅射刚开始时，表面的组分浓度与内部一样，即为c1和c2；在溅射后t时，刻它们变成了c01(t)和c02(t)。可以证明，c01(t)和c02(t)随时间演化的方程为
dc01(t)?i??c1Y2?(c1Y2?c2Y1)c01?dtN
（6.6-13）
dc02(t)?i??c2Y1?(c2Y1?c1Y2)c02?dtN其中?i是入射离子的通量。我们假设组分1的溅射产额Y1大于组分2的溅射产额Y2，这样组分2的原子将在表面富集。在不断溅射过程中，随着组分2的原子在表面的富集，其溅射产额也将逐渐地增加，同时组分1的溅射产额将减小。大约当表面层被剥离到10 nm的厚度以后，组分2的原子在表面的富集将平衡掉组分1的原子择优溅射效应，最终表
图6.13 在 Ar离子的轰击下，稳态的Pt-Si剖面随深度的变化。
面的原子浓度的变化将达到一个稳态值。由方程（6.6-13）可以得到，在稳态情况下
(t??)两种组分的浓度比为
c01(?)c1Y2 （6.6-14） ?c02(?)c2Y1图 6.13显示了PtSi合金在不同能量和剂量的Ar 离子的轰击下，两种组分浓度的稳态值之比随入射度的变化。可以看出，组分Pt的富集深度与Ar的能量有关。
大多数被溅射出来的原子来自于靠近表面的几个原子层。因此，人们有理由认为由于择优溅射引起的表面组分的变化深度仅有几个原子层厚。然而实验观察到：对于许多系统中，由于择优溅射引起合金表面组分变化的深度可以与离子的射程相当。这是由于原子的反冲注入、级联混合及原子间的相互扩散等因素造成的。
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