半导体物理作业及答案(10)

?I?10?3V?VTln??1??0.026ln(?1) ?148.74?10?I0? ?0.60V2

4、 一个p-n结二极管作为压控电容（变容管）使用，在反向偏置电压为2V时，它的可变电容为200pF，试问需要加多大的反偏置电压，才能使它的电容减少到100pF？假设接触电位是0.85V。

解：突变结的势垒电容为

1???r?0qNAND?2CT?A???(VD?V)(F/m)

?2(NA?ND)?式中：VD为接触电位，V为外加电压，NA,ND分别为结两边掺杂浓度。对于特定的二极管，

CT可以写为

CT?k(VD?V)

当V??2V时，CT?200pF，故有：

?12k?CT(VD?V)?200?10?12?(0.85?2)?3.38?10?10 当CT?100pF时

k3.38?10?10(VD?V)?? ?12CT100?101212得V=10.55V

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