逆变电焊机原理图的讲解(5)

为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P

型半导体端内的正电子则朝N型

半导体端运动，从而形成导通电

流。同理，当二极管加上反向电压

（P端接负极，N端接正极）时，

这时在P型半导体端为负电压，正

电子被聚集在P型半导体端，负电

子则聚集在N型半导体端，电子不

移动，其PN结没有电流通过，二

极管截止。 图7a 图7b 对于场效应管（见图7），在

栅极没有电压时，由前面分析可知，

在源极与漏极之间不会有电流流

过，此时场效应管处与截止状态（图

7a）。当有一个正电压加在N沟道

的MOS 场效应管栅极上时，由于电

场的作用，此时N型半导体的源极图8 和漏极的负电子被吸引出来而涌向

栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。

下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图

9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和

一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使

用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管

导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电

平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源

地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N

沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其

相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我

们可以获得较大的电流输出。

同时由于漏电流的

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