薄膜硅太阳能电池概述(2)

薄膜硅太阳能电池概述

作者：

作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期)：被引用次数：

魏岳， WEI Yue

保定学院,河北保定,071000

科技传播

PUBLIC COMMUNICATION OF SCIENCE & TECHNOLOGY2010，""(9)0次

参考文献(8条)

1.郭浩.丁丽 太阳能电池的研究现状及发展趋势 2006(2)2.郑春蕊 太阳能电池吸收层和窗口层材料的制备研究 2005

3.徐立珍.李彦.秦锋 薄膜太阳能电池的研究进展及应用前景 2006(3)4.邱永华.史伟民.魏光谱 硫化锡多晶薄膜太阳能电池研究进展 2006(1)5.徐知之.夏文建 铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池研究进展 2006(2)6.卢景霄.张宇翔 硅太阳能电池稳步走向薄膜化 2006(5)

7.俞远高.侯国付.王锐 微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用 2006(8)8.马胜红.陆虎俞 光侠发电与光伏发电系统 2006

相似文献(10条)

1.期刊论文 姚敏.袁强辉.刘彦昌.陈万和.YAO Min.YUAN Qianghui.LIU Yanchang.CHEN Wanhe 多晶硅制备方法及太阳能电池发展现状 -宁夏工程技术2009,8(2)

为了降低太阳能级多晶硅生产成本,从而降低太阳能电池制造成本,促进太阳能光伏产业的发展.介绍了目前世界上多晶硅的制备方法及其优缺点,论述了多晶硅及太阳能电池的制备工艺方法和发展现状.国内生产表明,采用改良的西门子工艺技术生产的多晶硅纯度不高.根据中国太阳能电池产业发展中的问题,提出了多晶硅生产技术的发展趋势,即怎样改良技术进一步提高多晶硅纯度.

2.学位论文 王艺帆 多晶硅太阳能电池片绒面化处理增效的研究 2008

能源是人类社会向前发展的基础，环境是人类可持续发展的必要条件。太阳能光伏发电作为一种重要的清洁新能源，越来越引起人们的关注。最近几年，太阳能电池的产量以前所未有的速度增长，其中多晶硅太阳能电池占据市场的53％。在晶体硅电池制造工艺中，酸液刻蚀技术越来越多的应用于多晶硅太阳电池工业化生产。但一般酸液刻蚀表面减反射效果尚不理想，而且其自催化性使其在应用过程中出现可控性差、重复性差等问题。本文围绕多晶硅表面酸刻蚀处理技术的改进开展初步研究。

我们首先详细研究了HF/HNO3/H2O系统制备太阳能级多晶硅片表面减反射面的一些规律。研究了不同溶液配比、温度、水的添加对刻蚀速率的影响规律，不同阶段的刻蚀形貌及其对应的反射率特性。结果表明：HF(40％):HNO3(70％)的体积比为99:1～94:6(富HF)情况，或者HF(40％):HNO3(70％)的体积比10:90～5:95(富HNO3)情况下，；温度控制在

0～20℃：水的添加能使刻蚀速率满足工业化生产的需要。在HF(40％):HNO3(70％):H20=24:1:5(vol)，室温下制备出的多晶硅片减反射面，其平均反射率达到最低，12％，并且刻蚀速率为10μm/min左右，符合工业化生产要求。

其次，研究了添加物理辅助手段--超声波的应用来优化了HF/HNO3系统，并详细研究了超声波的加入对刻蚀速率的影响以及对表面形貌和反射率效果的影响。超声波的加入能使HF/HNO3系统对多晶硅片的刻蚀速率进一步降低，达到5μm/min，同时有利于多晶硅表面微粗糙度的形成，所制备的多晶硅绒面平均反射率达到了3.5％。

再者，本论文提出了一个新的刻蚀体系--紫外辐照下的HF/HBr-来制备多晶硅片的减反射面。用正交实验法研究了新型刻蚀体系中各成分对刻蚀速率的影响，重点研究了影响力最大的HF的添加量对刻蚀速率的影响。并进一步研究了最佳配比下不同阶段的刻蚀形貌及制备出的反射率特性情况。新系统制得的多晶硅片减反射面，其平均反射率最低达到5％，刻蚀速率为12μm/h，反应稳定，易于控制，有一定的工业应用前景。

最后，本文提出了一些后续工作的建议，希望刻蚀体系的进一步优化能使其早日应用于太阳能多晶硅片减反射面制备的工业化生产。

3.会议论文 刘志刚.孙铁囤.于化丛.周之斌.崔容强 酸腐蚀在多晶硅太阳能电池上的应用 2004

本文回顾了多晶硅绒面的制备技术，重点介绍了酸腐蚀在制备大面积低成本多晶硅太阳能电池方面的发展情况，比较了不同制造工艺的效率。酸腐蚀制得的多晶硅表面有钝化和减反射作用，当其应用于太阳能电池的生产时缩短了电池工艺，降低了生产成本，有广阔的商业前景。

4.期刊论文 张明杰.李继东.陈建设.ZHANG Ming-jie.LI Ji-dong.CHEN Jian-she 太阳能电池及多晶硅的生产 -材料与冶金学报2007,6(1)

在简述太阳能电池原理和发展的基础上,分析了太阳能电池用多晶硅的生产方法.认为:改良的熔盐电解法和熔盐三层电解精炼法有可能直接制取太阳能级多晶硅,此法一旦研究成功,将大幅度地降低太阳能级多晶硅生产成本,应引起人们的关注.

5.学位论文 邓海 铸造多晶硅中原生杂质及缺陷的研究 2006

铸造多晶硅目前已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。铸造多晶硅材料中高密度的杂质和结晶学缺陷(如晶界，位错，微缺陷等)是影响其太阳能电池转换效率的重要因素。深入地研究材料中缺陷和杂质以及它们对于材料电学性能的影响，有利于生产出高成品率的铸造多晶硅锭，降低铸造多晶硅太阳能电池的制造成本，同时也是制备高效率铸造多晶硅太阳能电池的前提。

本文利用傅立叶红外分光光谱仪(FTIR)，微波光电导衰减仪(μ-PCD)，红外扫描仪(SIRM)，以及光学显微镜(OpticalMicroscopy)等测试手段，对铸造多晶硅中的原生杂质及缺陷以及少子寿命的分布特征进行了系统的研究。主要包括以下三个方面：间隙氧在铸造多晶硅锭中的分布规律；铸造多晶硅中杂质浓度的分布与材料少子寿命的关系；铸造多晶硅中缺陷的研究及其对少子寿命的影响。本文所得到的主要结论如下：

铸造多晶硅中氧浓度大小及其分布规律对硅锭的质量具有重要的影响。研究发现铸造多晶硅生长过程中，氧沿铸造多晶硅锭生长方向的分布主要取决于生长过程中氧的分凝和氧的挥发。一个包括了氧的分凝和挥发的新模型被用来模拟氧在硅锭中的分布曲线。结果显示模拟曲线能够很好地拟合氧在硅中实际分布曲线。进一步研究表明氧浓度及其的分布曲线受模型中指数X的影响，随着X的增大，硅锭中总的氧浓度将降低且氧的分布曲线变得更加陡峭，这有利于降低硅锭底部低少子寿命区域的高度，提高硅锭的利用率。

采用μ-PCD测得了沿硅锭生长方向(从底部至顶部)的少子寿命分布图。结果显示距离硅锭底部4～5cm，以及顶部2cm的范围内存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域少子寿命值较高且分布均匀。通过FITR测得硅锭中的氧浓度随硅锭高度的增加而逐渐降低，而碳的分布情形则刚好相反，随硅锭高度增大而增大。间隙铁的分布呈现硅锭中间部分浓度低，而两端浓度显著增加的特征，研究表明铁在底部以及顶部浓度的增加分别与坩埚向硅锭底部进行固相扩散和分凝有关。硅锭底部及顶部区域内高浓度的铁、氧等杂质为影响少子寿命值的关键因素。

此外，本文还利用择优腐蚀结合光学显微镜以及红外扫描仪(SIRM)研究了硅中的缺陷形态及密度分布。我们发现硅锭顶部由于生长过程中的快速冷却，引起较大的热应力从而导致了大量位错的产生(7×106cm-2)。位错密度大体上呈现从硅锭底部向硅锭顶部逐渐增加的趋势。SIRM观察到了硅中体缺陷的形态以及尺寸大小和密度分布情况。硅锭底部，中部以及顶部处体缺陷平均密度分别为2.8×108cm-3，8.5×106cm-3和1.6×108cm-3左右。

6.期刊论文 宋长青 激光退火技术对多晶硅太阳能电池薄膜处理的新进展 -科技信息(学术版)2008,""(29)

硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点,但硅薄膜太阳能电池在生产工艺上存在成本较高的问题,其中非晶硅薄膜的退火工艺是制约生产成本的一个重要环节

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