3 《材料科学基础》第三章 晶体结构缺陷((上)(7)
说明：文章内容仅供预览，部分内容可能不全，需要完整文档或者需要复制内容，请下载word后使用。下载word有问题请添加微信号:
或QQ：
处理（尽可能给您提供完整文档），感谢您的支持与谅解。
Si
P
Si
B
n型半导体
p型半导体
引入杂质可改变半导体的能带结构，所以杂质对半导 体材料电学性能的影响十分显著。在晶体中引入杂质粒子
称掺杂。
百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，免费范文网，提供经典小说教育文库3 《材料科学基础》第三章 晶体结构缺陷((上)(7)在线全文阅读。
3 《材料科学基础》第三章 晶体结构缺陷((上)(7).doc
将本文的Word文档下载到电脑，方便复制、编辑、收藏和打印
下载失败或者文档不完整，请联系客服人员解决！
