IC模拟版图设计-2011最新版(14)

2.1器件2.1.1 MOS管 1) NMOS管 以TSMC,CMOS,N单阱工艺为例 NMOS管，做在P衬底上，沟道为P型，源漏为N型

2)包括层次： NIMP,N+注入 DIFF,有源区 Poly,栅 M1,金属 CONT,过孔

3) MOS管的宽长确定 4)当有PCELL时;当无 PCELL时NMOS版图

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