调幅发射机的设计(4)

高频小功率调幅发射机设计

o A

6 10Ω uΩ

o

图 k1.4

调零端1 IN- IN+ VSS

图 k1.5 LM741 管脚排列

-5 4．晶体振荡器的指标要求：fosc=6MHz,频率稳定度优于10波形大小稳定，失真小，故可

按频率指标设计，然后通过实验确定幅度。

(1) 电路形式的选择。采用应用较广的并联型晶体振荡电路。由于频率不高，故用共发射极组态就可以了。为便于调节fosc ，采用类似于改进型电容三点式的结构，如图k1.6所示。

（2）工作状态的选择。甲类工作状态波形好、稳定度高，但效率低；乙类、丙类则反之。由于本方案中所需的输出功率不大，可选择甲类。

（3）元器件的选择

1）直流通路原件的确定。通常取VBQ=(5~10)UBEQ。由于本电路为甲类工作状态且uo大些好（当uo足够大时可省去缓冲放大器），故信号动态范围要大些，VBQ应取大，现取VBQ=8.8v。偏置电阻RB1、RB2一般取几十kΩ，现取RB2=30kΩ，则根据

VBQ≈RB2/(RB1+RB2)XVCC

即 8.8V≈30kΩ/(RB1+30KΩ) X12V

可得 RB1=11KΩ

RE1主要用作交流电流负反馈电阻改善波形，其取值一般比较小，现取RE1=510Ω，采用1kΩ电位器实现之。

通常小功率振荡器的ICQ=1~5mA，现取ICQ=3mA，故可得直流电流负反馈电阻RE2为

RE2=(VBQ-VBEQ)/ICQ-RE1=(8.8V-0.7V)/3mA-510Ω≈2.2kΩ

LC为通直流阻交流的扼流圈，可取10mH。

2）CE、C5的确定。CE为旁路电容，其值太小则旁路作用不佳，太大则易产生见习振荡，通常按下式选取

CE≥（10~20）/（2πfoscRE2）

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