模拟电子技术教案(12)

场作用下形成漂移电流IC，体现出IB（或IE、UBE）对IC的控制作用。此时，可将IC看成为电流IB控制的电流源。晶体管的输入特性和输出特性表明各极之间电流与电压的关系，β、α、 ICBO(ICEO)、ICM、U(BR)CEO、PCM和fT是它的主要参数。晶体管有截止、放大、饱和三个工作区域，学习时应特别注意使管子工作在不同工作区的外部条件。 4、场效应管

场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型，每种类型均分为两种不同的沟道：N沟道和P沟道，而MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。

场效应管工作在恒流区时，利用栅一源之间外加电压所产生的电场来改变导电沟道的宽窄，从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流ID。此时，可将ID看成电压UGS控制的电流源，转移特性曲线描述了这种控制关系。输出特性曲线描述UGS、UDS和ID三者之间的关系。gm、UGS(th)或UGS(off)、IDSS、IDM、PDM和极间电容是它的主要参数。和晶体管相类似，场效应管有夹断区（即截止区）、恒流区（即线性区）和可变电阻区三个工作区域。 尽管各种半导体器件的工作原理不尽相同，但在外特性上却有不少相同之处。例如，晶体管的输入特性与二极管的伏安特性相似；二极管的反向特性（特别是光电二极管在第三象限的反向特性）与晶体管的输出特性相似，而场效应管与晶体管的输出特性也相似。

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