第一章
2.MEMS器件的尺寸范围是 1。 10.“芯片上的实验室”是 。 11.现代微加工技术的起源是 10。 14.单词“LIGA.”是指 8。 18.微系统部件的“深宽比”被定义为 之比16。 二、简单题：
3.微系统和微电子技术之间最明显的区别是什么？12
10.根据你的学术和背景，描述你在这个多学科微系统技术中能扮演的角色。
第二章
一、填空题
14.形状记忆合金材料有如下特性 48、64。 15.压电驱动工作原理 49、64。
16.电极之间间隙减小，静电驱动力 50、64。 二、简答题
3.简述微型压力传感器三种信号变换方法的原理。最少各举出一个优点和一个缺点。（39~44）
4.微传感器、致动器和流体器件的主要作用。（62）
9.简述四种微器件常用的驱动技术。每种技术至少举出一个优点和一个缺点。（ ）
第三章
一、填空题
31.电解液是电解工艺中传导电流的 81。 二、简答题
5.确定在扩散工艺中实现掺杂砷、磷和硼时，硅基底的最佳温度。以及在这些最佳温度下掺杂剂的溶解度。
7.确定在硅基底中掺杂剂所需要的时间，要求掺杂后深度2?m处硅的电阻率为10?3??cm。
10.解释微流体流动中的毛细效应，为什么常规的机械泵不能驱动有毛细效应的小管道中的流体。
11.描述量子物理学在MEMS和微系统设计中的角色。
第四章
一、填空题
4.从力学角度来看，最适合的微传感器薄片的几何形状为 。 6.微器件的固有频率是由它的 所决定的。 7.理论上微器件有 个固有频率。
8.对微器件中的几个或者所有固有频率的分析被称做 。 9.当激励力的频率 器件的任一固有频率时，该器件会发生共振。
10.在质量弹簧系统中缓冲器可以对系统起到 的作用。 15.在 的情况下，机械约束的微器件组件中将感应出热应力。
16.在由不同的材料制造的微器件中感应出热应力的原因
是 。
18.材料的蠕变在 下变得严重。
24.微结构里的失效力学分析需要描述内部 的应力状态。 26.有限元分析的第一步是 。
28.用有限元分析应力的主要未知量是 。 二、简答题
4.一微器件组件，质量5g，附在一硅带下方，如图P4-1所示。带的等效弹性常数为18240N/m。质量块和弹性带都由硅组成。最初质量块被下拉5?m，然后松开。确定（a）系统固有频率，（b）最大振幅。
第五章
一、填空题
1．流体的粘性是由 造成的流体运动阻力的度量。 3.雷诺数和流体的 特征相关。 16.表面张力是 的要原因。 26.马赫数定义为 。
28.努森数越大，气体的约束将 。
54.亚微米和纳米尺度固体的热传导率 宏观尺度的相同材料。
第七章
一、填空题
2.半导体材料可通过 方法变为导电材料。 5.硅是理想的MEMS材料的主要原因 。 8.硅晶体的晶格长度为 nm。
9.密勒指数用来指定面心立方晶体的 。 10.硅晶体（100）由 个原子组成。 11. 硅晶体（110）由 个原子组成。 12. 硅晶体（111）由 个原子组成。 13.硅晶体的生长在 方向最慢。
22.用于压力传感器的硅膜凹腔54.74°的斜度是 。 24.多晶体硅在微系统中被用做值 。 25.硅压电电阻的阻值变化在 。 29.砷化镓的电子迁移率高于硅的 倍。 33.通常，压电晶体产生的电压与 有关。
第八章
一、填空题
3．1000等级的洁净室定义在一立方 中所含的小于0.5?m的尘埃粒子小于1000个。
4．定义洁净室内空气质量的尘埃粒子的尺寸为 。
8.在曝光后被溶解的光刻胶是 。 10.光刻中，光刻胶的典型厚度为 。 11．常用光刻中光源的波长范围为 。 13.离子注入是 半导体掺杂技术之一。
18.扩散用于对半导体的掺杂，它同离子注入过程相比 。 30.在CVD中必要原料是 。 41．工程师将选择 用于低温工艺。、 48.湿法腐蚀应用 去除想要去除的基底部分。
第九章
一、填空题
4.体硅制造中主要采用的微加工工艺为 。 6.微制造工艺中，最喜欢用的晶向是 。
9.硅晶体中（111）晶面和（100）晶面的夹角为 。 16.硅的过分掺杂会导致 。 21.DRIE代表 。 13.PSG代表 。
32.LIGA工艺制造MEMS，采用的材料 。
33.同步X射线在LIGA工艺中用于光刻的原因是 。 二、简答题
5.体硅微制造和表面微加工的主要不同是什么？ 7.描述牺牲层在表面微加工中的作用。
9.列出LIGA工艺的主要优点和缺点。
第十章
一、填空题
4.工艺流程是微系统 的一部分。
7.与环境条件相关的三个关键设计考虑是 。 20.压敏电阻变换器最严重的缺点是 。 21.压电变换器的主要优点是 。 22.压电变换器的一个严重缺点是 。 23．电容变换器的主要优点是 。 24.电容变换器的一个严重缺点是 。 25.谐振变换器具有 优点。 26.谐振变换器一个严重缺点是 。 27.光刻意思是 。
35.界面间断裂是涉及 的微系统设计要重点考虑的问题。
第十一章
填空题
1. 一个硅/玻璃的阳极键合发生于 。 2. 硅熔融键合进行于 。 10.SOI代表 。
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