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大学物理公式

来源:网络收集 时间:2020-05-24 下载这篇文档 手机版
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第一章 质点运动学

国际基本物理量:长度(m),质量(kg),时间(s),电流(A),热力学温度(K),物质的量(mol),发光强度(cd)

量纲:某一物理量借助有关定义或定律用基本量表示时,表达式中各基本量的指数。 例:F=ma, 则F导出单位为kg*m/(s^-2),力对质量,长度量纲为1,对时间量纲为-2。 §1.2质点运动描述

位矢函数:r=r(t)或r={x(t),y(t),z(t)} 其中r=xi+yj+zk , ︱r︳=√[x^2+y^2+z^2] 消去t即可得轨迹方程

速度:V=dr/dt=(Vx)i+(Vy)j+(Vz)k ︱V︳=√[(Vx)^2+(Vy)^2+(Vz)^2] 加速度:a=dv/dt=(Ax)i+(Ay)j+(Az)k ︱a︳=√[(Ax)^2+(Ay)^2+(Az)^2] 自然坐标系

Eτ为切向量,EN为法向量 V=(ds/dt)* Eτ=︱V︳*Eτ

a=(Aτ)+(AN)=(dv/dt)* Eτ+(v^2/ρ)*EN 其中ρ为该点的转弯半径 ︱a︳=√[(dv/dt)^2+(v^2/ρ)^2] 加速度与切向夹角α=artan(AN/ Aτ) 圆周运动

角速度:ω=dθ/dt

角加速度:β=dω/dt=(d^2θ)/(dt^2) 有V=Rω, Aτ=Rβ, AN=Rω^2

V=ω×R,求导得a=(Aτ)+(AN)=β×R+ω×v

第二章 质点动力学

牛顿第一定律:惯性和力

牛顿第二定律:P=mv,F=dP/dt=d(mv)/dt=m(dv/dt)=ma 牛顿第三定律:F1=F2

惯性力:F+Fo=MA’其中Fo=-MAo,Ao为所选参考系相对地面的加速度,A’为目标物体在所选参考系中的加速度 功:dA=Fcosαdr ,A=∫F*dr 功率:P=dA/dt=F*(dr/dt)=F*v 保守力做功:只与初末位置有关

平动功能原理:除重力外其他力作功等于平动机械能改变量

机械能守恒:保守力做功情况下物体动能与势能相互转换而总合不变 动能定理:∫F*ds=ΔEk 动量定理:∫F*dt=ΔP

动量守恒:F=0(F为合外力),则P1=P2=C(常矢量)

质心:质点系中所有质点位矢乘上以该位置质点质量为权重的加权平均值

第三章 刚体力学

转动定律:M=Jβ,与牛二(F=ma)类比,M为合外力矩,J为转动惯量,相当于m,β为角加速度,相当于a

其中,J=∫r^2*dm

回转半径:r=√(J/m) 物体类型 圆环 薄圆盘 圆筒 圆柱体 转轴位置 穿过圆环中心与环面垂直 以直径为转轴 穿过圆盘中心与盘面垂直 沿圆筒的中心轴 沿柱体中心轴 穿过柱体中点与中心轴垂直 穿过棒中点与棒垂直 穿过棒端点与棒垂直 以球体直径为转轴 以球壳直径为转轴 对应转动惯量 J=mr^2 J=(mr^2)/2 J=(mr^2)/2 J=m(R1^2+R2^2)/2 其中R1为内R2为外半径 J=(mr^2)/2 J=(mr^2)/4+(ml^2)/12 其中l为柱体长度 J=(ml^2)/12 其中l为棒长 J=(ml^2)/3 其中l为棒长 J=[2(mr^2)]/5 J=[2(mr^2)]/3 细棒 球体 薄球壳 平行轴定理:若质量为m的刚体对过其质心c的某一转轴的转动惯量为Jc,则可知此刚体对于平行于该轴、和该轴相距为d的另一转轴的转动惯量J为: J=Jc+md^2

刚体转动动能:Ek=(Jω^2)/2 类比平动动能:Jóm, ωóv 刚体重力势能:Ep=mgh

力矩的功:dA=M*dθ A=∫M*dθ 功率:P=dA/dt= M*dθ/dt=M*ω

刚体转动动能定理:A=∫M*dθ=∫Jωdω=[J(ω2)^2-J(ω1)^2]/2其中M为合外力矩 注意类比平动

转动功能原理:∫M*dθ=mg(H2-H1)+ [J(ω2)^2-J(ω1)^2]/2 其中M为除重力距外其他力矩之和

刚体机械能守恒:mgH+ (Jω^2)/2=C(常量) 角动量:L= Jω 类比P=mv

角动量定理:∫M*dt=L2-L1=ΔL 类比∫F*dt=ΔP 角动量守恒:L= Jω=C,转动过程中合外力矩为零适用

第六章 电荷与电场

库仑定律:F=(kq1q2)/r^2 其中k=1/(4πεo) 真空中的介电常数:εo

电场强度:E=F/q(试验)=kq(产生电场的电荷)/r^2 场强叠加:dE= k(dq)/r^2 E=k∫[(dq)/r^2] 体电荷密度:ρ=(dq)/(dV) 面电荷密度:σ=(dq)/(dS) 线电荷密度:λ=(dq)/(dL)

电偶极距:Pe=ql,其中l为-q指向+q的径矢

电偶极子中垂线上某点场强:

E=Pe/(4πεoR^3)=kPe/R^3其中R为该点距中垂线中点距离

无限长的均匀带电棒在距其距离为a处的点的场强为Ey=2kλ/a,其中λ为线电荷密度

半无限长的均匀带电棒在距其距离为a处的点的场强为E=[(√2)*kλ]/a,其中λ为线电荷密度,方向为x轴,y轴角平分线方向 均匀带电圆环轴线上任一点场强为: E=kQx/[(x^2+a^2)^(3/2)]

其中Q为圆环带电量,a为圆环半径,x为该点到环心的距离 均匀带电圆盘轴线上任一点的场强为: E=σ[1-x/√(R^2+x^2)]/(2εo)

其中x为该点到圆盘中心距离,R圆盘半径,σ为面电荷密度 无限大均匀带电板附近场强: E=σ/(2εo)

电通量:dφ=E*dS 场强E也可表示为E= dφ/ d(S⊥) φ=∫E*dS,若S为闭合曲面,则φ=∮E*dS 真空中的高斯定理:φ=∮E*dS=(∑q)/ εo 一般取对称高斯面则面上场强E=(∑q)/( εoS) 半径为R的均匀带电球壳的空间场强分布: r>R时,E=kq/(r^2) r

半径为R的均匀带电球体的空间场强分布: r≥R时,E=kq/(r^2) r

无限长均匀带电直线空间场强分布: E=2kλ/r 其中r为该点到直线距离

半径为R的无限长均匀带电圆柱面空间场强分布: r>R时,E=2kλ/r r

无限大均匀带电薄平板空间场强分布: E=σ/(2εo)

一对电荷密度等值异号的无限大均匀带电薄平板空间场强分布: E=σ/εo

静电场环路定理:dA=QoEdlcosθ Qo为试验电荷

A=∫dA=kQoQ∫(1/r^2)*dr=kQoQ[(1/Ra)-(1/Rb)]

其中Ra为目标电荷到试验电荷运动起点的距离,Rb为目标电荷到试验电荷运动终点的距离

电势:U=∫E*dl

电势差:Uab=Qo(Ua-Ub) Ua为起点电势,Ub为终点电势 单个点电荷的电势分布:

U=kq/r (r≠0) 其中r为该点到点电荷距离 半径为R均匀带电球面电势分布: r>R时,U=kq/r r≤R时,U=kq/R

半径为R的均匀带电(q)细圆环轴线上电势分布:

U=kq/[√(R^2+x^2)] 其中x为该点距圆环中心距离 当x>>R时,既点无限远,U=kq/x 当x=0时,U=kq/R

等势面:(1)与电场线正交(2)电场线方向为电势降落方向(3)电场越强处等势面越密,电场越弱处等势面越疏。 静电场中的导体

静电平衡状态:导体内部和表面都没有电荷宏观定向运动的状态 静电平衡状态下的导体性质:

1、导体内部,场强处处为零;导体表面场强垂直导体表面;电场线不进入导体内部,而与

导体表面正交。

2、导体内、导体表面各处电势相同,整个导体为等势体。 静电平衡状态下的导体带电性质:

1、导体内部净电荷为零,电荷只分布于导体外表面

2、导体表面个点的面电荷密度与表面邻近处场强成正比,即σ=εoE表, 则导体表面邻近处场强: E表=σ/εo

3、导体表面电荷面密度σ与该处曲率有关,曲率越大则σ越大,曲率越小则σ越小 静电平衡状态下的空腔导体带电性质: 1、腔內无带电体:

① 空腔内部场强为零,整个腔体为一个等势体

② 若空腔导体带电,则其电荷只分布与外表面,内表面无电荷 2、腔內有带电体: ① 导体中场强为零

② 空腔内部的电场取决于腔内带电体,空腔外电场取决于空腔外表面的电荷分布 ③ 空腔的内表面所带电荷与腔内带电体所带电荷等量异号 电容和电容器 电容:C=Q/U

电容式反映孤立导体容纳电荷和电能能力的物理量,用单位电势差所容纳的电量来表征,它只与孤立导体本身的形状、大小和周围电介质有关,而与其是否带电无关 计算电容器一般步骤:

1、假设所求电容器两极板各带+q和-q电荷

2、求出其板间电场E的分布,并由U=∫E*dl计算两极板间的电势差 3、由定义C=Q/U求得

两个靠的很近(可将两板看成无限大),相距为d,面积为S,板间为真空的平行金属板组成的平板电容器:

E=σ/εo,U=(qd)/( εoS),Co=( εoS)/d

当板中充满各向同性均匀电介质时,电容C将增大,有: C/Co =εr

Εr称为电介质的相对介电常数

则两个靠的很近(可将两板看成无限大),相距为d,面积为S,板间充满各向同性均匀且相对介电常数为Εr的电介质的平行金属板组成的平板电容器: C=εr* Co

两半径分别为R1和R2(R2>R1)的同心金属球壳(壳间为真空)组成的球形电容器的电容为:

Co=(R1*R2)/[k*(R2-R1)]

对于长为l,半径分别为R1,R2(R2>R1)两同轴圆柱面组成的圆柱形电容器(面间为真空),其电容为:

Co=l/[2k*㏑(R2/R1)]

n个电容器串联,有如下等量关系: Q1=Q2=……=Qn V=∑Vi,i=1,2……,n

1/C=V/q=(∑Vi)/q=∑(1/Ci)

n个电容器并联,有如下等量关系: Q=∑Qi

V=V1=V2=….=Vn C=∑Ci

多个电容串联的总电容可与多个电阻并联的总电阻类比 多个电容并联的总电容可与多个电阻串联的总电阻类比

电介质中某处电极化强度矢量:P=(∑Pe)/ΔV,其中Pe为该处附近的电介质分子电偶极矩矢量,V为该处体积

当外电场不太强(没有发生电介质击穿现象),某处电极化强度矢量P与该处的总场强E(E=Eo+E’)成正比: P=χeεoE 其中χe称为电介质的电极化率

电介质外表面某处的极化电荷元电量dQ’在量值上等于该处面元dS的电极化强度矢量P的元通量,即: dQ’=P*dS 电介质中的场强:E=Eo+E’

其中Eo为外电场(自由电荷产生场强),E’为极化电荷产生的附加场强 电介质的电极化率χe,相对介电常数εr之间有如下等量关系: εr=1+χe

在电容器那一节中定义过介电常数ε=εr*εo 则可得: ε=εr*εo=(1+χe)* εo

其中真空中的介电常数εo为已知量,知道εr,ε,χe中任意两个即可求得第三个。εr,ε,χe均为表征电介质性质的物理量,即它们的数值随电介质的不同而不同。 当电介质存在时,静电场环流定理仍成立,形式不变,高斯定理也成立,但形式变为: ∮E*dS=∑(Qo+Q’)/ εo

其中Qo和Q分别为所取高斯面包围的自由电荷和极化电荷,E为空间所有自由和极化电荷在所取高斯面上各点所产生的合场强。

电位移矢量D=εo*E+P=εo*E+χeεoE=εr*εo*E=ε*E 高斯定理可化为更简洁的形式:∮D*dS=∑Qo 点电荷系统的电能:W=(1/2) ∑Qi*Ui

其中Ui为除去第i个点电荷外所有其他点电荷产生电场在第i个点电荷位置产生的电势 电容器能量:We=(Q^2)/(2C)=(CV^2)/2=Q/(2V) 电场能量:dWe=[(ε*E^2)/2]*dV We=∫dWe

第七章 电流与磁场

比奥-萨法尔定律:

dB=[(kIsinθ)/(r^2)]*dl 矢量式:dB=[k*(Idl)×r]/(r^3) 用以判断方向

其中Idl为所取电流元,θ为Idl与径矢r的夹角,k=μo/(4π), μo为真空中磁导率

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