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实验十 PN结物理特性测定 - 图文

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实验十一 PN结物理特性测定

一、概述

半导体PN结的物理特性是物理学和电子学的重要基础内容之一。本仪器用物理实验方法,测量PN结扩散电流与电压关系,证明此关系遵循指数分布规律,并较精确地测出玻尔兹曼常数(物理学重要常数之一),使学生学会测量弱电流的一种新方法。本仪器同时提供干井变温恒温器和铂金电阻测温电桥,测量PN结结电压Ube与热力学温度T的关系,求得该传感器的灵敏度,并近似求得0K时硅材料的禁带宽度。 二、仪器简介

图1 PN结物理特性测定仪实验装置

电磁学实验

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实验十一 PN结物理特性测定

FD-PN-4型PN结物理特性测定仪主要由直流电源、数字电压表、实验板以及干井测温控温装置组成,如图1所示。 三、技术指标

1.直流电源:±15V直流电源一组, 1.5V直流电源一组

2.数字电压表:三位半数字电压表量程0—2V ,四位半数字电压表量程 0—20V

3.实验板: 由运算放大器LF356、印刷引线、接线柱、多圈电位器组成。TIP31型三极管外接。 4.恒温装置:干井式铜质可调节恒温,恒温控制器控温范围,室温至80℃;控温分辨率0.1℃; 5.测温装置:铂电阻及电阻组成直流电桥测温0℃(R0?100.00?)。 四、实验项目

1.测量PN结扩散电流与结电压关系,通过数据处理证明此关系遵循指数分布规律。 2.较精确地测量玻尔兹曼常数。(误差一般小于2%)

3.测量PN结结电压Ube与温度关系,求出结电压随温度变化的灵敏度。 4.近似求得0K时半导体(硅)材料的禁带宽度。

5.学会用铂电阻测量温度的实验方法和直流电桥测电阻的方法。 五、注意事项

1.实验时接±12V或±15V,但不可接大于15V电源。±15V电源只供运算放大器使用,请勿作其它用途。

2.运算放大器7脚和4脚分别接+15V和-15V,不能反接,地线必须与电源0V(地)相接(接触要良好)。否则有可能损坏运算放大器,并引起电源短路。一旦发现电源短路(电压明显下降),请立即切断电源。

3.要换运算放大器必须在切断电源条件下进行,并注意管脚不要插错。元件标志点必须对准插座标志槽口。

4.必须经教师检查线路接线正确,学生才能开启电源,实验结束应先关电源,才能拆除接线。

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电磁学实验

实验十一 PN结物理特性测定

实验十 半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验

【实验目的】

1.在室温时,测量PN结电流与电压关系,证明此关系符合指数分布规律。 2.在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数。

3.学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流。

4.测量PN结电压与温度的关系,求出该PN结温度传感器的灵敏度。 5.计算在0K温度时,半导体硅材料的近似禁带宽度。 【实验原理】

1. PN结伏安特性及玻尔兹曼常数测量

由半导体物理学可知,PN结的正向电流-电压关系满足:

?qU?ktI?I0?e?1? (1)

??式中I是通过PN结的正向电流,I0是反向饱和电流,在温度恒定是为常数,T是热力学温度,q是电子的电荷量,U为PN结正向压降。由于在常温(300K)时,kT/q≈0.026v ,而PN结正向压降约为十分之几伏,则exp(qU/kT)>>1,(1)式括号内-1项完全可以忽略,于是有:

(qU)kT

I?I0e (2)

也即PN结正向电流随正向电压按指数规律变化。若测得PN结I-U关系值,则利用(1)式可以求出

e/kT。在测得温度T后,就可以得到e/k常数,把电子电量作为已知值代入,即可求得玻尔兹曼

常数k。

在实际测量中,二极管的正向I-U关系虽然能较好满足指数关系,但求得的常数k往往偏小。这是因为通过二极管电流不只是扩散电流,还有其它电流。一般它包括三个部分:1)扩散电流,它严格遵循(2)式;2)耗尽层符合电流,它正比于exp(qU/2kT);3)表面电流,它是由硅和二氧化硅界面中杂质引起的,其值正比于exp(qU/mkT),一般m>2。因此,为了验证(2)式及求出准

电磁学实验

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实验十一 PN结物理特性测定

确的e/k常数,不宜采用硅二极管,而采用硅三极管接成共基极线路(只能放大电压,不能放大电流),因为此时集电极与基极短接,集电极电流中仅仅是扩散电流。复合电流主要在基极出现,测量集电极电流时,将不包括它。本实验中选取性能良好的硅三极管(TIP31型),实验中又处于较低的正向偏置,这样表面电流影响也完全可以忽略,所以此时集电极电流与结电压将满足(2)式。 2.弱电流测量

过去实验中10A-10?6?11A量级弱电流采用光点反射式检流计测量,该仪器灵敏度较高约

10?9A/分度,但有许多不足之处,如十分怕震,挂丝易断;使用时稍有不慎,光标易偏出满度,瞬

间过载引起引丝疲劳变形产生不回零点及指示差变大。使用和维修极不方便。近年来,集成电路与数字化显示技术越来越普及。高输入阻抗运算放大器性能优良,价格低廉,用它组成电流-电压变换器测量弱电流信号,具有输入阻抗低,电流灵敏度高。温漂小、线性好、设计制作简单、结构牢靠等优点,因而被广泛应用于物理测量中。

Rf-+IsKoU0IsZrUi 图 电流-电压变换器

LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器,用它组成电流-电压变换器(弱电流放大器),如图2所示。其中虚线框内电阻Zr为电流-电压变换器等效输入阻抗。由图2,运算放大器的输入电压U0为:

U0??K0Ui (3)

式(3)中Ui为输入电压,K0为运算放大器的开环电压增益,即图4中电阻Rf??时的电压增益,

Rf称反馈电阻。因为理想运算放大器的输入阻抗ri??,所以信号源输入电流只流经反馈网络构

电磁学实验

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实验十一 PN结物理特性测定

成的通路。因而有:

IS?(Ui?U0)/Rr?Ui(1?K0)/Rf (4) 由(4)式可得电流-电压变换器等效输入阻抗Zr为

Zr?Ui/Is?Rf/(1?K0)?Rf/K0 (5) 由(3)式和(4)式可得电流-电压变换器输入电流Iz输出电压U0之间得关系式,即: Is??U0(1?K0)/Rf??U0(1?1/K0)/Rf??U0/Rf (6) K由(6)式只要测得输出电压U0和已知Rf值,即可求得Is值。以高输入阻抗集成运算放大器LF356为例来讨论Zr和Is值的大小。对LF356运放的开环增益K0?2?105,输入阻抗ri?1012?。若取Rf为1.00M?,则由(5)式可得:

Zr?1.00?106?/(1?2?105)?5?

若选用四位半量程200mV数字电压表,它最后一位变化为0.01mV ,那么用上述电流-电压变换器能显示最小电流值为:

(Is)min?0.01?10?3V/(1?106)?1?10?11A

由此说明,用集成运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流,具有输入阻抗小、灵敏度高的优点。

3.PN结的结电压Ube与热力学温度T关系测量。

?A)当PN结通过恒定小电流(通常电流I?1000,由半导体理论可得Ube与T近似关系:

Ube?ST?Ugo (5)

式中S≈-2.3mV/C为PN结温度传感器灵敏度。由Ugo可求出温度0K时半导体材料的近似禁带宽度Ego=qUgo。硅材料的Ego约为1.20eV。

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