2009-2010学年二学期电子线路期中考试试卷（A卷）

_______期日______ _名___签__任__主__室__研_教名课姓 任 _ _ ____________名__签__员_教号题学 出 _ ________________员__教_课次任班学 __教_ _ _ _ _ _ ______________次__班_核别考队 ______数人核考山西大学2009-2010学年第二学期《模拟电子技术基础》期末考试试卷 山西大学

Re? 1k??R?uiuo?《模拟电子技术基础》期末考试试卷(A卷)

10k?cVVCC?EE?? RiRo ???题号 一 二 三 四 五 总分 3．在如图所示电路中，已知输入电压ui为正弦波；运算放大电路为理想运放；两只三极管饱

???分数 和管压降UCES?3V，集电极最大允许功率损耗PCM?3W。 ??线阅卷人 1．负载电阻上可能获得的最大输出功率Pom＝（ ）； ???题目部分，（卷面共有44题，100分，各大题标有题量和总分）

A、28W B、14W C、9W

??2．当负载电阻上获得的最大输出功率Pom时，OCL电路的效率??（ ）； ?评卷人 得分 ?

A、78.5% B、大于60％小于78.5％ C、小于50％ ?? 一、选择题（10小题，共10分）

??

3．若最大输入电压的有效值Uimax?1V，则R2的下限值应取为（ ）。

?C、120k?

封1．选择正确答案填空。1．若石英晶体中的等效电感，动态电容及静态电容分别用

L、C及

A、75k? B、110k? ?+VCC??C(+15V)0表示，则在其损耗电阻R?0时，则石英晶体的串联谐振频率fs?____，并联谐振频率

?RR4VT12??fp?____。

uiR1VD1??A??A、

1，B、

1，C、

1

VD2??2πLCC02πLCRLu密C?C2π1?C??o0CR310k?0R5VT2???2．根据石英晶体的电抗频率特性，欲使晶体呈电阻性，应使f____；欲使晶体呈电感性，应VCC(－15V)?

??使f____；欲使晶体呈电容性，应使f____。

4． 1。NPN和PNP型晶体管的区别取决于____

???A、等于fA、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ， p，B、等于fs，C、大于fs，而小于fp，D．小于fs，或大于fp ?C、掺杂浓度的不同， D、P区和N区的位置不同。 3．石英晶体的f2．N沟道和P沟道场效应管的区别在于____ p与fs的数值越接近，则要求C0值____。 A、衬底材料前者为硅，后者为锗，

A、越小，B、越大

B、衬底材料前者为 N型，后者为 P型， 2．已知图示电路中晶体管的β ＝100，rC、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。

be＝1k?，估算该电路电压放大倍数约为_________

（A、1， B、10， C、100）输入电阻约为____（A、10?， B、1k?， C、100k?）

5．已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA 。

试卷 第 1 页 （共 7 页）

_______期日______ _名___签__任__主__室__研_教名课姓 任 _ _ ____________名__签__员_教号题学 出 _ ________________员__教_课次任班学 __教_ _ _ _ _ _ ______________次__班_核别考队 ______数人核考山西大学2009-2010学年第二学期《模拟电子技术基础》期末考试试卷 1．当V增加到20V时，I将____。

? A、为2μA 左右， B、小于1μA ， C、变化不大， D、远大于2μA 20lgA.u/ dB??2．保持V不变，温度升高10℃，则I将____。

40?A、为2μA 左右， B、小于1μA ， C、变化不大， D、远大于2μA

?R?10k?20??I0f / Hz??VVDUD110102103104105106107

???

10．图示运算电路中，A1、A2为理想运算放大器。

??6．因为变压器耦合放大电路????（A、各级静态工作点Q相互独立，B、Q点相互影响，C、

线?各级A1．甲、乙两同学在推导输出电压uu相互影响，D、Au互不影响），所以这类电路????（A、温漂小，B、能放大直流信号，

O的表达式时，得到如下不同的结果。你认为谁的答案正确？??C、放大倍数稳定），但是????（A、温漂大，B、不能放大直流信号，C、放大倍数不稳定）。

甲：由u＋?u－、u?I?u?1?u?2，故有

?7．设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在UD保持不变的条件下，

??当二极管的结温升高10℃，ID将____。

uuI??O??A、小于10mA， B、大于10mA， C、等于10mA

R?RR1?R1?R4?1?2?R3?R4????uI 2?R3??R2?R3????

乙：将u?8．分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路I表示为uI1、uI2两个对地电压之差，故有

封?（A、低通， B、高通， C、带通， D、带阻， E、全通）。 ?u????1．A???1?R?sCR?2A4u?R4?1?RupO??2??uu?s???RI1I23??R3??R1? ??1??3?A2

up?sCR??sCR???2．若已知

R1??2．A?1??sCR?2?AupR?R4?0.5，R1?10k?、R3?200k?， u?s??2R3?1?2?2?A2

up?sCR??sCR??当uI?2V时，你认为输出电压uO＝？

?密9．某放大电路电压放大倍数A?u的折线近似幅频特性如图所示。由此可知中频电压放大倍数???A?um为____（A、40， B、100， C、10000）倍，下限截止频率为____（A、10Hz， B、A1uO??100Hz， C、1000Hz），上限截止频率为____（A、100kHz， B、1MHz， C、10MHz）。

uIR4??当信号频率恰好等于上限截止频率或下限截止频率时，该电路的实际电压增益约为____（A、?40dB， B、－3dB， C、37dB)。

R3??A2uO2R2R1

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_______期日______ _名___签__任__主__室__研_教名课姓 任 _ _ ____________名__签__员_教号题学 出 _ ________________员__教_课次任班学 __教_ _ _ _ _ _ ______________次__班_核别考队 ______数人核考山西大学2009-2010学年第二学期《模拟电子技术基础》期末考试试卷

K? 3．用模拟乘法器和集成运放组合可实现uO??u。 I?评卷人 得分

?? ?二、是非（10小题，共10分）

4．用模拟乘法器和集成运放组合可实现uO?KuI。

?

?

??1．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力

??大大减小。（ ）

评卷人 得分

???2． 输入电阻是从放大电路输入端看进去的交流等效电阻。（ 〕

三、改错题（7小题，共14分）

线??3．直流放大器必须采用直接耦合方式（ ），所以它无法放大交流信号（ ）。 1．某同学制作一个UO＝12V的串联型稳压电源，通电前发现有多处错误。

???4．在阻容耦合放大电路中，增大耦合电容的容量，有利于高频信号畅通，因此可以改善高频

1．改正图中出现的五处错误；

?2．图中有两处参数取值明显不合理，请指出。

?响应特性。（ ）

A?VTB1??5．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。（ ） 150mAIL?2kR?1?封6．判断下列说法是否正确。

VDVDVT412??1．在单相桥式整流、电容滤波电路中，若R~220VUO=12VLC＝（3～5）T/2（C为滤波电容，RL为负载电阻，50HzU2 = 15V?VDCR3L?T为电网电压的周期）时，整流电路中二极管的导通角一定小于π；（ ）

VD10?FA2?2．在单相桥式整流、电感滤波电路中，若滤波电路输入电压波形与整流电路带纯电阻负载时1kR?2??相同，则整流电路中二极管的导通角约为π；（ ）

VDZUZ= 6V??3．在单相桥式整流、LC滤波电路中，若滤波电路输入电压波形与整流电路带纯电阻负载时相?同，则整流电路中二极管的导通角一定大于π。（ ）

??密7．本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（ ） 2．图示电路是某同学所接的OCL电路，他所选用的电源及元器件均正确，但接线有误，改

???8．两个MOS管可以复合成一个MOS管（ ）。

正图中错误，使之能够正常工作。

???9．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（ ） ???10．指出下列说法是否正确：

?1．只用集成运放和线性电阻即可实现uO?KuXuY。 2．只用模拟乘法器即可实现uO?KlnuI。

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??VT35．判断图中给出的两种复合管的接法是否正确。若不正确，则改正其接法，画出正确的连接

??R2图。在改正的过程中，不能改变原晶体管的类型，并要求复合后等效为PNP型晶体管。

线?VCC

???3．判断下面句子中带有底划线的词语是否正确，若不正确，则在其后括号内填入正确的词语。

??调节图示电路中的?RW，使晶体管处于临界饱和状态。此时，如果增大Rb，晶体管的饱和深?( a )( b )?

?度将增加（ ）；如果减小Rc，晶体管将脱离饱和?6?（ ）；如果换用β大的管子，晶体管的临界饱和状态基本不变．图示电路中，已知A为理想运算放大器，晶体管VT的?足够大，其饱和压降UCES?0，

封?（ ）；如果增大V电流表的内阻很小，可略。 ?CC，晶体管的临界饱和状态基本不变??（ ）。

1．电流表测出的电流IM??

??VCC2．若RL?500?，改变U的值，能获得的负载电流IL的最大值ILmax??

??RWR?c?Rb3．若恒定电压U极性相反，电路能否正常工作？若能，问IL?？若不能，需将电路作何改动??VT才能正常工作？

密电流表??

??4．R某同学用截止频率为fIM?pL的RC低通电路[如图（a）所示]与一截止频率为fpH的RC高通

100??AVT

?电路[如图（b）所示]相串联（且?fpH>fpL）后，接在同相比例运算电路的输入端，组成二阶ILR?L?带阻滤波电路[如图（c）所示]。

2VU问：这种做法是否正确？为什么？若不正确，请改正，并画出电路图。

+VCC(+15V)CCU.RRi(s)U.o(s)U.i(s)U.o(s)7．欲使集成运放

A1工作在负反馈状态，并且使电路输入电阻Rif近似为无穷大，输出电阻

2C0.5RRof近似为零。

试找出图示电路中的接线错误，并加以改正。

( a )( b )

试卷 第 4 页 （共 7 页）

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??4．某晶体管在

20℃下测得?

β＝50，ICBO?0.1 μΑ，试问在20℃下该管子的ICEO约为

???

_________________；当温度上升到

30℃时，该管的ICBO约为 _________________。

线?评卷人 得分 ?

5．图中 VT为小功率锗晶体管当Rb不同时，VT可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状

?? 四、填空题 （10小题，共10分）

态下基射极电压UBE、集射极电压UCE的大致数值范围填入表内。 ??

晶体管状态 放大 饱和 截止 ?1．组成图示复合管的VT结电压 ?1和VT2的部分参数列于表中，复合管等效的有关参数约等于多少？

?UBE ?请填入表中。 ?UCE ? β 额定功耗 最大集电极电流 c-e极击穿电压 封?VT1 80 0.5W 0.1A 100V +V(+12V)CC??VT2 60 50W 10A 80V RcR?复合管 b?C?

2??C1V?VuiTuOT1???VT2

密?

?、“小”在表中填空。

?2．6．比较硅二极管与锗二极管的性能差别，用“大”在

20℃下测得某晶体管的β＝100，I?CEO?10μΑ。试问，此时该管子的ICBO约为

??比较项目 死区电压 反向电流 相同正向电流 _________________；当温度下降至

10℃时，该管子的?ICEO约为 __________________。

二极管类型 （阈值电压） 下的正向压降 ???3．在下图所示的硅三极管放大电路中，虚线表示短路故障，×表示断路故障。当用电压表测

小功率硅管 小功率锗管 量图中各故障电路的集电极对地静态电压UC时，电压读数分别约为

①__________V， ②__________V， ③__________V， ④__________V。

7．把在放大电路中不同类型的场效应管对uGS、uDS的极性要求用“＋”、“－”填入表内。

结型 MOS增强型 MOS耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 试卷 第 5 页 （共 7 页）

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