为了完美本贴,集中资料,方便大家收藏,故引用了hit00版主的文章资料: 原理讲解(以单片选闪存芯片为例):
这种只有一个闪存焊位的主控板意味着叠焊只能打造单通道U盘。单通道,顾名思义就是只有一个读写通道(即数据总线),多片闪存共享同一个8位的数据总线。为了能够保证读写的时候不发生混乱,主控必须保证同一时刻只有一片闪存占用数据总线,这就需要片选信号来选中这片闪存了。此次改造主要关心的是片选信号和忙信号。
CE片选信号(第9脚)是低电平有效的,U盘在不操作的时候,所有闪存芯片的片选信号都被设置为高电平,也就是说均未选中,各个闪存芯片的数据总线均呈现高阻态,数据总线空闲。当用户读写U盘的时候,主控会根据要访问的数据所在的位置将对应闪存芯片的片选管脚拉低,该芯片被选中,接下来主控发送的指令和数据都将被这片被选中的闪存来执行,而此时其他闪存芯片的数据总线仍处于高阻态,不会影响主控读写被选中闪存的过程。
R/B管脚(第7脚)为忙信号,当闪存接收到读数据指令而数据尚未送出时,以及闪存接收到写数据指令而数据上外完全写入存储矩阵时,该管脚被闪存芯片内的控制逻辑拉低,主控得知此消息后会暂停读写操作,等待闪存读写完毕之后再继续进行读写。
支持Interleave功能的主控通常会要求把各个闪存芯片的R/B~管脚分别接到主控的不同输入管脚上,这样主控可以得知每一片闪存各自的读写状态,并能够利用某片闪存忙的时间间隔去读写其他闪存芯片,从而提高整体的读写速度。
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