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场效应管及其基本放大电路(5)

来源:网络收集 时间:2019-06-11 下载这篇文档 手机版
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3.13 射极输出器的输出电阻Ro和BJT的rbe, ?,发射极电阻RE及信号源内阻RS有关,

r?RS//RB。而源极输出器R=?此时R中没有包含信号源内阻,何故?

ooRo?RE//be1??3.14 考虑P沟道FET对电源极性的要求,画出由这种类型管子组成的共源放大电路。 3.15 一个JFET的转移特性曲线如图3-20所示,试问: (1)它是N沟道还是P沟道的FET?

(2)它的夹断电压UGS,off和饱和漏极电流IDSS各是多少?

3.16 图3-21所示为MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型,说明它的开启电压UGS, th =?如果是耗尽型,说明它的夹断电压UGS,off =?(其中iD的假定正向为流进漏极)

a)

b) c)

图3-20 习题3.15图 图3-21 习题3.16图

3.17 试在具有4象限的直角坐标系上分别画出各种类型的FET(包括N沟道、P沟道MOS增强型和耗尽型,P沟道JEFT、N沟道耗尽型)的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或夹断电压。

a) b)

c) d)

图3-22 习题3.18图 图3-23 习题3.19图

3.18 一个MOSFET的转移特性如图3-22所示(其中漏极电流iD的方向是它的正方向)。试问: (1)该管是耗尽型还是增强型? (2)是N沟道还是P沟道?

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(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压UGS, off还是开启电压UGS, th?其值等于多少? 3.19 4个FET的转移特性分别如图3-23a~图3-23d所示,其中漏极电流iD的方向是实际方向。试问它们各是哪种类型的FET?

3.20 增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点?试说明理由。 3.21 已知电路参数如图3-24所示,FET工作点上的互导gm = 1mS,设rds ? RD。 (1)画出电路的小信号等效电路。 (2)求电压增益Au。 (3)求放大器的输入电阻Ri。

3.22 源极输出器电路如图3-25所示,已知FET工作点上的互导gm=0.9mS,其他参数如电路中所示。求电压增益Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro。

图3-24 习题3.21图 图3-25 习题3.22图

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