模拟电子技术基本练习题（解） - 图文(3)

（A） 350~560Ω （B）280~933Ω （C） 560~933Ω （D）280~560Ω

33．某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ B ）。(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

34．某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ A ）。(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

36．某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ C ）。

(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

37．甲乙类互补功率放大电路如图所示，图中D1、D2的作用是消除（ C（A）饱和失真 （B）截止失真 （C）交越失真 （D）频率失真

。

）

38．如图所示功率放大电路，已知VCC=20V，RL=8Ω。该功率放大器的最大输出功率为（ D ）。

（A） Pom=25W （B） Pom=50W （C） Pom=15W （D） Pom=6.25W

39．LC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件（ C ）。

（A） （B） （C） （D）

40．RC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件（ A、D ）。

（A） （B） （C） （D）

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