光刻工艺流程及未来发展方向(3)

组成等。 3.7.4 平整性 随着多层金属设计的采用，平整性并不易达到，铜、钨连接柱、钽、IDL 等挑战。 3.7.5 化学研磨后的清洗 机械刷拂去或用高压水柱冲去，化学清洁一般采用与其它 FEOL 清洗相同的技术，需特别注 意铜污染。 3.7.6CMP 3.7.6CMP 设备 晶圆搬运机械手、在线测量和洁净度监测装置，目标是“干进干出”。 第 8 页/共 9 页 集成电路制造工艺 3.8 光学光刻的前景

由于 X 射线和电子束光刻技术的费用昂贵，光学系统可持续改进以满足更小图形尺寸的要 求，在无光学系统技术占领半导体以前，“亚深紫外线”可能会成为下一个重要的光学光刻 技术进步。 参考文献

[1] 庄同曾. 集成电路制造工艺 . 北京:电子工业出版社,2005.

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