光电技术考试试卷

1、当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成 为真空中的自由电子，这种现象称为（B） P20

A、内光电效应 B、外光电效应 C、光磁电效应

D、光子牵引效应 2、已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带 宽度为（A）

A、0.886eV B、1eV C、2eV

D、1.3eV 3、电磁波谱中可见光的波长范围为 (A) A、0.38~0.78um B、0.38~1um C、1~3um D、8~12um

判断题(每题10分,共5题) 4、光通量的单位是坎德拉 (×)

正确

不正确 5、黑体的发射率是一个小于1的常数。(×)

正确

不正确 6、当热辐射发射的总辐通量与黑体的总辐通量相等时，以黑体的温 度标度该热辐射体的温度，这种温度称为色温。（×） P11

正确

不正确 7、发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。（A） P19

正确 不正确

8、被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象，称为内光电 效应。 （A）

正确

不正确 9、光敏电阻的主要作用是（D）

A、光电探测 B、红外探测 C、光电开关

D、光电探测与控制 10、以下选项中哪个不是光敏电阻的主要噪声（D）

A、热噪声 B、产生复合噪声 C、低频噪声

D、散粒噪声 11、对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与时间常数（），如果照度相同而温度不同 时，二者（B）

A、相同，不同 B、不同，不同 C、不同，相同

D、相同，相同 12、本征光电导器件在越微弱的辐射作用下，时间响应越（），灵敏 度越（A）

A、长，高 B、长，低 C、短，高

D、短，低 13、光敏电阻是（）器件，属于（D） A、光电导器件，外光电效应 B、光电发射器件，外光电效应 C、光生伏特器件，内光电效应 D、光电导器件，内光电效应

判断题(每题10分,共5题) 14、光敏电阻的前列效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴

的浓度与复合几率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。(B) 正确 不正确

15、光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也 随之升高。(B) （热敏电阻也是温度升高，阻值降低）

正确

不正确 16、光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一 些。 (B)

正确

不正确 17、在测量某光电导器件的 值时，背景光照越强，其 值越小。(A)

正确

不正确 18、光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于下降时间。 (B)

正确

不正确 19、用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（D ）为光电接 收器件。

A、PMT

B、CdS光敏电阻 C、2CR42硅光电池

D、3DU型光电三极管 20、（A ）电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功 率，且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。

A、自偏置 B、恒流 C、零伏偏置

D、反向偏置 21、PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（C ）？ P12

A、1GHz

B、100MHz C、10MHz

D、1MHz 22、（B ）的灵敏度最高。 P72

A、光电二极管 B、光敏电阻 C、光电三极管

D、硅光电池 23、硅光电池的主要作用是（ ）。 A、光电探测 B、红外探测 C、光电开关 D、光电探测与开关

判断题(每题10分,共5题) 24、PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能 提高器件的光电灵敏度。 (B)

正确

不正确 25、硅光电池是一种需要加偏置电压才能把光能转换成电能的PN结 光电器件。(B) P50

正确

不正确 26、要产生光电效应，光电二极管必须工作在0.7V以上。(×)

正确

不正确 27、以GaAs为材料制造出的光生伏特器件目前应用最广泛。（×） P52

正确

不正确 28、越远离PSD几何中心位置的光点，其位置检测误差越小。(×)P66

正确 不正确

29、光电倍增管的主要噪声有（）

A、散粒噪声，热噪声 B、散粒噪声，产生复合噪声 C、热噪声，产生复合噪声

D、电流噪声，热噪声 30、光电倍增管的短波限和长波限由什么因素决定？（）

A、光电阴极材料、倍增级材料和窗口材料 B、光电阴极材料和倍增级材料 C、窗口材料和倍增级材料

D、光电阴极材料和窗口材料 31、某光电倍增管的阳极灵敏度为10A/lm，为什么还要限制它的阳极输出电流在50~100μA？()

A、因为阳极电流过大会使测量数据不稳定

B、阳极输出电流在50~100μA时，电子流不能被阳极所吸收，达到饱和区 C、因为阳极电流过大会加速光电倍增管的疲劳与老化

D、引起光电倍增管的非线性 32、光电倍增管按倍增级结构可分为（）

A、端窗式和测窗式 B、聚焦型和非聚焦型 C、百叶窗型和盒栅式

D、瓦片静电聚焦型和圆形属笼式 33、下面说法正确的是：（） A、光电倍增管不应在氦气中使用，因为它会加速光电倍增管的疲劳与老化 B、光电倍增管应贮存在黑暗中，使用前最好先接通高压电源，在黑暗中存放几小时 C、光电倍增管的输出信号采用运算放大器做电流电压变换，以保证高的转换效率 D、在设计光电倍增管电路时，总是力图使散粒噪声远小于负载电阻的热噪声

判断题(每题10分,共5题) 34、 为使阴极面各处的灵敏度均匀，受光均匀，常把光电倍增管的 光电阴极做成球面。

正确

不正确 35、为得到最稳定的相对光谱灵敏度函数，光电倍增管应让其自然

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