计算机组装与维护教案(2)资料 - 图文(5)

泗阳霞飞中等专业学校 第三节 常见内存条类型 1、EDO内存 EDO（Extended Data Out RAM,，扩展数据输出内存），可分为30pin和72pin（pin为线），如图4-7所示，用5V电压，数据宽度为32Bit，奔腾以上数据宽度都是64Bit甚至更高，所以EDO RAM在586主板上必须成对使用。 2、SDRAM内存 SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步动态内存），168pin和144pin（其中144pin用于笔记本），如图4-8所示，用3.3V电压，其数据宽度为64Bit。其工作原理是将RAM与CPU以相同的频率进行控制，取消了CPU的等待时间提高存取速度。可分为3个阶段： ⑴.PC-66规范：主板设计为4个72pin+2个168pin ⑵.PC-100规范：主板设计为2-4个168pin ⑶.PC-133规范：主板设计为2-4个168pin 3、DDR RAM内存 DDR RAM（Double Data Rage RAM，双倍速率SDRAM），如图4-9所示，比SDRAM的速度高一倍，工作电压在2.5V，特点是在时钟周期内的上升沿和下降沿各传输一次数据，为184pin。 现在市场上出现了DDRII内存，DDRII的工作电压由DDR的2.5V下降到了1.8V , 184Pin升级为232Pin ,内存总线为64位，现在的初期产品运行频率在DDR400～DDR533之间，能达到3.2-4.3GB/秒的带宽 . 4、RDRAM RDRAM（Rambus DRAM,存储器总线式动态随机存取存储器），如图4-10所示，由Rambus公司和Intel公司推出的一种内存规格，184pin，使用2.5V电压，根据速度分600MHz、700MHZ和800MHZ三种，可在单个时钟内的上升沿和下降沿各传输数据。 Cache 一、内存的技术指标 1、ECC校验： 在奇偶校验基础上开发的校验，奇偶校验指为了防止内存中的数据传输中发生错误需要对字节中的数据位进行的校验，可找出一位二进制错误但不能更正。ECC可纠正一位二进制错误。SDRAM 内存有双面和单面设计每一面有8颗或9颗内存颗粒。 2、内存容量： 内存所存储数据的最大容量。 3、存取时间TAC： 存取数据时的时间，即存储器进行一次完整的存取操作所需要的时间，单位为纳秒。时间越小，速度越快。相应在内存条上标有 -6、-7、-8、-10等字样。10NS ----100MHZ、7NS----142MZH、8NS----133MHZ。（LGS-7 只有10 NS，市面上只有三星的是7NS） 4、数据宽度 内存的数据宽度是指内存同时传输数据的位数，以位（bit）为单位。内存的带宽指内存的数据传输速率。 5．存取周期TMC： 内存的速度用存取周期来表示。读入和写出是存储器的两个基本操作，它指的是将信息在存储器和寄存器之间进行读写。两次独立的存储操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC，单位为ns(纳秒)，这个时间越短，存取速度就越快，也就标志着内存的性能越好。目前存储器的存取周期一般为60 ns～100 ns 6．内存的电压 早期的FPM内存和EDO内存均使用5 V电压，SDRAM内存一般使用3.3 V电压，现在使用的DDR和Rambus内存都是2.5 V电压。而DDR II内存所使用的电压为1.8V电压。 第四节 内存的技术指标与- 21 -

泗阳霞飞中等专业学校 二、Cache Cache（高速缓冲存储器），Cache速度与CPU相当，CPU直接访问Cache可从计算机整体提高速度，并具有预测功能。 计算机中运行速度由快到慢为：CPU——CPU内部L1 Cache——CPU内部L2 Cache——主板上的Cache——内存——硬盘中的Cache（光盘中的Cache）——硬盘中的数据（光盘中的数据）。其存储量分别为：L1 Cache：16KB----64KB，甚至达到128KB；L2 Cache：128KB----512KB，甚至达到8M；主板上Cache：512KB----1MB；硬盘上：128KB----4MB；CDROM：64KB----256KB，甚至达到512KB。 第五节 从软件角度看内存 从软件角度看，内存可以分为常规内存、上位内存等，形式具体如下： 1、常规内存：只有640K 又称低端内存、基本内存、自由内存，即0—640KB 2、上位内存：UMA 指系统内存中第一个1M字节中保留的384K部分又称上端内存、保留内存、BIOS内存或适配器内存，即640K—1024K。 3、扩展内存：XMS 是1MB以上的所有内存 4、高端内存区：HMA是1024---1088KB之间的空间的64KB 5、扩充内存：在扩展内存中展开的16KB或64KB的空间 6、映射内存：（SHADOW RAM）也称影子内存是为提高系统效率而采用的一种专门技术，是将主板上的系统ROM BIOS和适配卡上的视频ROM BIOS中的程序拷贝到上位内存的部分空间。 7、虚拟内存：是在真实内存不够用时用硬盘来充当内存的一种方法。更改的方法：我的电脑—属性---性能----虚拟内存。 第六节 内存的选购 脑系统性能的影响很大的一个主要原因。所以我们的选购内存时首先要考虑的是内存的种类和容量，这也是我们电脑性能稳定的一个根本原因之一。 在目前，普通的消费者几乎没有理由不选择DDR。内存的容量对系统性能的影响很大，256MB内存的电脑明显比128MB 、64MB内存的电脑快，这应该是有目共睹的。内存容量可谓多多益善，但价格也更高。对一般用户有256MB的内存就不错了，如果有预算上的限制，起码也要准备128MB，就目前的主流操作系统和应用软件，没有128MB以上的内存是很痛苦的。 在我们确定要购买内存的种类和容量后，我们就可以试着到电脑市场上选购内存了。 平常我们常说买现代的内存或LGS的内存，这个说法并不准确。因为，多数人所谓的现代、LGS、NEC、三星什么的其实只是内存芯片的厂商。我们在组装电脑的时候使用的不会是一粒一粒的内存芯片，而应该是一个完整的内存组，也就是俗称的内存条。很长时间以来人们把内存芯片的厂商和内存厂商混淆而谈了。造成这种情况的原因主要还是国内一直缺乏品牌内存，市场上充斥的多是成捆的散装条，用户能看到的只有内存芯片上的标识和PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）上或可见的印记，导致人们严重缺乏内存的品牌意识。市场并不是没有品牌内存，但市面上难得见的品牌内存条价格普遍偏高，令普通消费者和经销商望而却步，转而在散条中冒险也实在有些无奈。 一个内存条由内存芯片和印刷电路板及其它的一些元件组成，因此芯片的质量只是内存质量的一部份，印刷电路板的质量也是一个重要的决定因素。同是\现代\的内存，大家却会觉得质量大不一样，这就是印刷电路板质量不同的原因。但这并不是说芯片无足轻重，内存芯片毕竟是整条内存的核心，我们在挑选时应该注意以下几点： 一、细挑内存颗粒 - 22 -

在电脑DIY的时代，内存已成为电泗阳霞飞中等专业学校 在选购内存时您必须仔细查对内存编号以选择性能尽可能好的内存。 1、 认准类型 现在市场上主要是以DDR为主，不过还有少数的SDRAM内存，SDRAM内存已经不在生产了，所以现在购买的大多数可以说是二手货，而DDR内存有184线和232线两种不同的形式，在购买时根据主板或其它情况实际购买所需要的内存。当然，最绝对的方法是看芯片的编号，什么类型\\性能都可以读出来。 2、芯片的品牌 不同的品牌的质量自然不同，很重要的就是内存生产厂商的品质管理方面的差异，一些品牌的内存芯片的检测比较严格，在质量和性能上留的裕度也比较高，而一些厂商可能由于品质管理或自身的技术条件限制了其产品的品质.这种区别一般不会影响正常的使用，但在超频的时候就有比较大的影响。譬如就有用LGS的普通10ns内存(10K）勇超133MHZ的，相比之下，一些不知名的芯片厂商的内存就不一定有这么好的运气了。 3、芯片的品质 内存芯片上的标号只能是一个参考，芯片本身的实质并不会完全在上面体现出来，我们有可能会遇到名不副实的芯片。这里面又有两种可能，一种情况是芯片本身是次品，但通过不明途径流入市场；另一种情况是Remark的芯片，将低质芯片的标识打磨掉之后，重新打上标识，以冒充较优质的芯片。 ⑴ 小心次品 这种情况使用的是原厂的芯片，芯片的外观一般比较完美，但在其它地方还是可以看出破绽。因为使用这类内存的价格一般都比较低，不过即使使用的芯片表面看来可能是不错，但内存的其它部份除了价格之外绝对不会让人感到高兴。在遇到芯片不错价格低谦的内存时大家一定要多长几个心眼，看看这根内存的印刷电路板是否做得比较简陋、粗糙。如果感觉印刷电路板比较差，那么这么好的芯片配这样不起眼的印刷电路板就非常蹊跷。再仔细看芯片，看看其上标的生产日期是否一致。如果有几个不同的日期就说明同一条内存上的芯片有几个不同的批次，这时我们就需要仔细想一想了。 如果有两个批次且两个批次的芯片的印刷电路板上的排列规律（如连续几颗是一个批次的，或两批次均匀间隔等），还可以认为这根内存使用可能正好是两个批次芯片的首尾。但如果有三个甚至更多的批次就不太妙了，这至少说明这个组装厂的原材料管理难以让人恭维，这样就很难让我们相信这条内存的质量是得到严格保证的。 此外有暇疵的产品还有一种表现形式是芯片的数目和实际容量不符，常见的就是所谓的\补位片\或\补位条\，如看芯片上的标识知每颗芯片的容量是64Mbit，除8得知每颗芯片是8MB，则64MB一条的内存上应该有8颗芯片（若带校验的内存就有9颗），但有时你会发现市面上卖的一些64MB内存是双面16颗芯片的，其上的芯片的标识也是每颗64Mbit（8MB），而不是32Mbit（4MB），按理这应该是一条128MB的内存，但它确实不是，所以这里面肯定有问题，可能是兼容性方面的问题，也可能是质量上的问题。 ⑵ 警惕Remark 这种情况由于要打磨或腐蚀芯片的表面，一般都有会在芯片的外观上表现出来。正品的芯片表面一般都很有质感，要么有光泽或荧光感要么就是哑光的。如果觉得芯片的表面色泽不纯甚至比较粗糙、发毛，那么这颗芯片的表面一定受到了磨损。这时应该尝试判断磨损的原因，因为目前国内内存的运输和销售的方式有点野蛮，内存间难免互相刮擦并留下痕迹。后期的刮擦留下的痕迹通常比较粗，刮痕通常出现在个别芯片上，如果多颗芯片出现刮痕则整条内存上的芯片的刮痕在方向上应保持一致，也就是从痕迹上能让人感觉到在磨擦中全部芯片的运动方向是相同的。最重要的是刮痕与标识之间的关系不明显，即便在- 23 -

泗阳霞飞中等专业学校 标识上出现刮痕也不像是故意集中在标识上的，且标识本身应该受到和磨痕相应的磨损。而故意打磨的芯片上的痕迹主要集中在标识附近，且痕迹很均匀，细看后可以发现芯片的这些区域与其它部分的质感不大一致，如颜色偏浅、泛白等。 另外Remark的芯片还可能出现芯片表面有明显的磨损面其上的油印字迹却保持完好这等\怪事\。通常芯片的角上会有凹陷的小圆圈，侧光观察小圆圈的深度是否均匀。打磨过的芯片上的小圆圈可能还会出现某部分边缘缺失的情况。 上面这些办法其实还是很主观的，并不是绝对的，读者在多看一些内存后总能找到一些感觉，还是自己多体会一些为好--反正象运输和销售中的无意磨损和故意的打磨明人很容易就分辨出来的,并不是非常困难的工作.读者们也许会认为可以从芯片上标识的刻印形式看出一些问题来，但实际上这是很不实际的，据笔者所见，许多厂商的同型内存芯片的不同批次的标识在笔画粗细、颜色等方面甚至封装的色泽上都会有区别。在散装条的市场上看到这种情况可能会给人真假难辨的感觉，如果在Kingston这些品牌内存上看到就不能有什么怀疑了。 不过同批次的芯片的刻印如果不同那就有问题了。例如同一条内存上同一批次的芯片上的字迹位置不一致，这颗的标识在中央，而另一颗的标识却靠边，见到这样的内存大家尽可嘲笑做假者的拙劣。当然，不管芯片上印刷标识的笔画、色泽如何，有激光蚀刻的芯片想来比较让人放心。现在恐怕又有人叫起来了，因为很多人觉得逛了这么久的电脑市场看到的内存在标识都是油印似的，没见过刻的啊。其实这只是大家没注意到而已，许多芯片是在蚀刻的字迹上再印平时我们所看到的标识的（恐怕是担心在黑色的芯片上刻的字不够清晰而已），平时大多数人看内存只是看一下芯片的正面，这很难察觉，如果侧光仔细观察经常可以发现在油印的字迹中间有刻痕（当然刻痕要与油印字迹要相符才行）。此个标识就是油印的低档芯片很容易改动，其中最可能的手段是用药水洗去原芯片的标识，然后再刻上或印上新的标识。被药水洗过的芯片颜色肯定偏浅，要么是标识附近的区域颜色不对，要么就是整颗芯片的颜色都发白。在现在内存条价格高水平的时期，发白的芯片大家可要小心。 二、 内存芯片编号 以下分别列出了几种常见内存颗粒的编号，希望对您选购内存有所帮助。 1、HYUNDAI （现代） 现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HY 5X X XXX XX X X X X XX –XX HY代表是现代的产品。 5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。 第2个X代表工作电压，空白为5V，\为3.3V, \为2.5V。 第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下： 第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。 第9个X一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口。 第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。 第11个X如为\则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。 第12、13个X代表封装形式，分别如下： 最后几位为速度： 注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，- 24 - 泗阳霞飞中等专业学校 57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。 2、LGS（LG Semicon Co.,Ltd。） LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX GM代表为LGS的产品。 72代表SDRAM。 第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits ，66为64Mbits。 第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。 第5个X代表Bank ，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。 第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到\了。 第7个X如果是字母\，就是低功耗，空白则为普通。 \为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为\。 最后的XX自然是代表速度： 注：例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16 位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。 3、SAMSUNG（三星） 三星的SDRAM芯片的标识为以下格式： KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM代表是三星的产品。 三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的\代表普通的SDRAM，如为\，则为DDR SDRAM。 \前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用\后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。 \后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3 为难个Bank。 \后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。 \后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。 \为TSOP封装。 速度前的\和\的区别在自刷新时的电流，\需要的电流较\小，相当于一般的低功耗版。 \后的X代表速度： 注：例如KM416S4031BT-GH，是64Mbit（16*4），16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。 4、Micron MT Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式： MT48 XX XX M XX AX TG-XX X MT代表是Micron的产品。 48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。 Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。 M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 AX代表Write Recovery（Twr），如A2表示Twr=2clk。 TG为TSOPⅡ封装。LG为TGFP封装。 最后的XX是代表速度： 其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、 3-2-2、2-2-2、2-2-2。 速度后如有L则为低耗。 注：例如MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit（8*8），8位，且是性能相当不错的芯片，完全符合PC-100规范。 5、IBM IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式： - 25 -

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