磁场变化。这种方案优点是电路以及机械结构设计简单，成本低，空间小。相比于光电编码器，TLE5012B还具有不易受灰尘、油污等污染优点。和基于霍尔原理的磁性角度传感器相比，基于巨磁阻原理的TLE5012B精度更高。
为了减小由安装或者生产带来的误差如PCB安装、芯片贴片、磁铁装配以及转轴径向跳动等因素导致的额外系统误差，尽量选择直径较大的磁铁，且安装时磁铁中心尽量正对着TLE5012B芯片中心巨磁阻感应区域。
3.2.磁路设计
TLE5012B需要工作在合适的磁场强度范围， 在-40℃至150℃温度范围内建议外部平行磁场强度为30mT至50mT范围。因此设计磁路时需要确保工作气隙范围内磁场满足要求。由于巨磁阻传感器检测的是平行磁场，因此垂直于封装表面的磁场BZ对巨磁阻传感器没有影响。可以用磁通计检测磁路磁场强度，如图8所示。
图8：工作磁场范围
外部磁场强度过小或者过大都会增加额外的角度误差。当外部磁场强度太弱时，不足以驱动自由层磁化方向很好地对齐外部磁场方向。当外部磁场强度太强时，会影响到参考层磁化方向。外界磁场强度过强并不会造成芯片的损坏，只是会影响检测精度，当外界磁场强度恢复到规定范围内时，检测精度又能够恢复到正常范围。
影响磁路磁场强度因素主要有磁性材料，尺寸和厚度等。为了减小误差，在全温度范围内其磁性尽可能稳定。理论上可以选择稀土材料如钐钴或者钕铁硼等，也可以选择铁磁性材料。综合考虑温度特性，磁场特性等，推荐使用SmCo5材料。一种推荐磁路设计参数如下：
剩磁Br为0.9T，充磁方向为径向充磁，磁极对数为1对，直径10mm，厚度1.7mm。工作气隙（磁铁表面距离传感器表面）为2.5mm（确保磁场强度在工作范围内时传感器可工作在更大气隙）。
3.3.电路设计
如图9所示为TLE5012B E1000 版本应用电路，其余版本参考电路详见数据手册。TLE5012B和MCU相连，可以通过SSC接口或者IIF接口获取TLE5012B角度等信息。TLE5012B E1000 IIF 接口（IFA,IFB以及IFC）默认为push-pull接口，可通过SSC配置寄存器设置为open-drain接口，此时输出接口和供电电源之间需相应增加上拉电阻。
图9：应用电路
SSC和IIF协议通讯距离较短，对于需要长距离传输情况，可以将信号进行差分处理，一种可行的电路设计如下：
图10：差分电路
4.电机位置信息
4.1位置信息
正如前文所述，TLE5012B能够检测平行于其封装表面磁场360度变化，其检测原理为通过检测外界磁场方向和芯片内部巨磁阻感应单元参考层磁化方向之间夹角来感应角度。当外部磁场方向如图2所示时TLE5012B检测到角度为零度，需要注意的是此时反映的零点为磁场零点，而非电机的机械零点。即当传感器转动时其输出的角度是相对于磁场零点而言，而非相对于电机的机械零点。 TLE5012B能够同时反映绝对角度信息和相对角度信息。获取绝对角度信息方法有两种：即通过SSC方式，或者利用TLE5012B E1000启动特性。利用SSC方式可以获得实时的绝对角度信息，而需要注意的是，TLE5012B E1000 启动特性结束后进入正常工作模式，此时获得的角度信息为相对角度。
4.2 零点位置标定
在没有将传感器磁场零点和电机机械零点对齐之前，传感器磁场零点并不一定等于电机的机械零点，因此传感器反映的角度均是相对于磁场零点而言。如果需要标定传感器零点位置，可以通过下面两种方式进行。
4.2.1 SSC方式标定零点
传感器接线方式参考图9，具体操作步骤如下：
1. 将电机位置定位到所需要的机械零点位置。
2. 通过SSC接口读取寄存器AVAL寄存器里数值，例如假设此时AVAL里数
值为1FFEH,角度值为90°。
3. 移除AVAL寄存器里3位LSB角度值，获得12bit角度。即1FFEH移除3
位LSB后变成3FFH。
4. 通过SSC接口读取ANG_BASE寄存器数值。例如假设此时ANG_BASE数值
为072H。
5. 将ANG_BASE数值减去步骤3里获得新的AVAL数值即072H-3FFH=C73H,并
将该值存储到MCU里EEPROM中。
6. 每次TLE5012B上电后，将存储在MCU EEPROM里AVAL数值写入到
TLE5012B ANG_BASE中。 通过以上步骤，便可以完成电机零点位置标定。需要注意的是由于TLE5012B不具备存储能力，因此每次上电以后均需要将外部EEPROM存储的AVAL数值写入到TLE5012B ANG_BASE中。
4.2.2 IIF方式确定零点
在不通过SSC方式对TLE5012B零点标定情况下，还可以利用IIF协议中IFC信号找到磁场零点，再利用该信号和机械零点比较从而找到两者之间角度偏移量。当电机转动到磁场零点时，TLE5012B E1000的IFC脚会发一个脉冲信号，代表磁场零点位置。根据磁场零点和机械零点相对位置信息可以求出偏移量，当需要相对于机械零点的绝对位置信息时，可以通过补偿该偏移量求得。
另外一种方式是利用TLE5012B 硬启动以及IIF启动特性。正常情况下TLE5012B 上电启动时间最长为7 ms，然后进入IIF启动特性模式，起始位置角度数据传输过程约需2.1ms。在没有通过SSC对TLE5012B寄存器配置情况下，IIF启动特性反映的绝对角度是相对于磁场零点而言，换言之即需要经过约9.1 ms后TLE5012B E1000进入正常工作模式，这时才可以通过SSC配置其寄存器方式使其硬启动来快速重启（最长约需0.5毫秒）。所谓硬启动，即通过SSC协议先配置S_BIST为0，接着配置AS_RST为1。当TLE5012B硬启动后，TLE5012B能够快速重启，然后再通过SSC协议配置ANG_BASE。通过这种方式后当TLE5012B E1000再次进入IIF启动特性模式时所获得的绝对角度信息便是相对于电机机械零点的绝对角度。
参考资料：
1. TLE5012B Datasheet
2. TLE5012B register setting appnote 3. TLE5012B user manual
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