《薄膜材料及其制备技术》试题
——材料科学与工程学院2012级研究生
1, 在T=291K时,水的表面张力系数(或表面能)s=0.073N m-1,
va=18.016醋10-6m3mol-1,如果水滴半径r=10-8m,请计算此时的蒸汽压p'(用
(10分) p表示)以及水滴内外压强差Dp。
2, 设T温度下的过饱和蒸气压为p',该温度下的饱和蒸气蒸气为p。试证明:过饱和气体发生凝聚时,凝聚体单位体积自由能变化为DGV=-(vα为凝聚体单个原子或分子的体积)。(10分)
kBTln(p'/p) av3, 试从微观键能的观点证明:描述浸润问题的Young方程sLVcosq=sSV-sSL 可以近似写作uLLcos2quLL为单位面积的液相原子之间的键能;=uLS (其中,
2uLS为固-液界面上单位面积的固-液原子之间的键能)。(10分)
4, 请论述真空度对成膜质量的影响。(10分)
5, 衬底温度(即生长温度)是如何影响薄膜生长模式的?(10分)
6, 论述晶格失配(既失配应力)与薄膜生长模式的关系。(10分)
7, 论述衬底表面对形核难易程度:凹面>平面>凸面。即凹面处最容易形核,而凸面处最难形核。(10分)
8, 试解释层状生长(即二维成核)机理与Step-flow生长机理,并进一步论证高温时薄膜倾向于step-flow生长。(10分)
9, 自行查找文献,举例说明一至二种薄膜生长的原位观测或检测手段。(10分)
10, 自行查找文献,阐述一至二种薄膜生长技术及其特点,并举例讲述其具体制备薄膜的实例及成膜质量。(10分)
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